一种新光伏MPPT算法及硬件实现和实用性分析

3 单管高边NMOSFET驱动电路
为保证硬件电路的稳定性，实验采用IR2110芯片，搭建所需单管高边NMOSFET驱动电路，如图3所示。图中A，B两点分别接被驱动的NMOS FET的栅极和源极。驱动电路基本工作机制是：①PWM为低电平时，HIN为低电平，HO与VS导通，VQ1，VQ3先后关断，LIN为高电平，LO与Vcc导通，LO变为高电平，VQ2导通，将升压电容C1的负极端接地，此时，直流电压源12 V通过二极管VD1给C1充电；②PWM为高电平时，LO与COM导通，LO变为低电平，VQ2关断，而HO与VB导通，这使得C1的正负极直接连接在VQ3的栅极和源极上，VQ3导通，导致C1的正负极通过VQ3连接在被驱动MOSFET VQ1的栅极和源极上，使VQ1导通。需要注意的是，即使由于VQ1导通导致B点的电压升高，由于C1的作用，A，B两点之间的电压保持不变，保证了主电路NMOSFET的持续导通。