存储技术的巨大进步，IBM多位PCM相变存储芯片开发成功

　　近日IBM的研究团队自豪地宣布，他们已经成功地攻克了PCM相变存储(Phase Change Memory)的多位封装难题，为解决PCM相变存储提升容量、降低成本指出了一条明路。

　　实际上PCM相变存储已经存在多年，不过一直以来有一个重大难题制约着它的发展，就是每一个PCM相变存储单元只能存储1bit的数据，即1bpc(bit-per-cell)。这对PCM相变存储提升容量、降低成本是一个巨大的阻力。

　　而最近IBM的研究团队成功研发了多位存储的PCM芯片，虽然采用的是90nm的CMOS工艺制造，不过这枚PCM芯片拥有者远高于普通NAND芯片的读写速度和循环寿命，例如写入延迟仅10微秒，写入寿命达1000万次等，这些都是NAND芯片“望尘莫及”的。

　　不过，IBM的研究团队并没有透露该PCM芯片的更多信息，例如每个存储单元可以储存多少数据等，而且从目前来看，多位PCM相变存储芯片距离量产还有很长的距离。