以GaN打造的功率放大器为5G铺路

　　德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...

　　下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体。

　　Fraunhofer的研究人员Rüdiger Quay表示，晶片上的特殊结构可让基地台设计人员以极高的电压(较一般更高的传送功率)执行该元件。在其Flex5Gware计划中，Fraunhofer IAF已经开始在6GHz频率展开元件的原型测试了。

　　在这一类的应用中，能量需求取决于传输频宽。Quay解释，所传送的每1位元都需要稳定且一致的能量。由于5G可实现较现有商用行动无线基础架构更高200倍的频宽，因而有必要大幅提高用于传统5G高频宽讯号的半导体元件能效。

　　除了创新的半导体，研究人员们还使用高度定向天线等措施来提高能量效率。

　　在金属加工制程中产生的副产品——镓(Gallium)十分普及。包含GaN的白光与蓝光LED也有助于提高GaN的产量，使得GaN成为当今一种更可负担的元件。其结果是，Fraunhofer IAS指出，相较于矽(Si)元件，GaN元件由于在整个产品寿命周期已超过其更高的制造成本，因而实现更节能的元件。