三星高管偷卖的14/10nm工艺 到底是什么机密？

　　除此之外，台积电高管还爆料，最早采用FinFET的16纳米工艺，原本计划跟随英特尔，称为20纳米FinFET。因为该工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)与量产的前一代20纳米传统电晶体工艺差不多，只是换上全新的FinFET电晶体。然而，三星抢先命名为“14nm”!也就是说，三星的出现，扰乱了市场的命名的惯例。

10nm

　　在14nm上逐渐赶上英特尔的三星，在10nm的研究上，几乎和强大的竞争对手英特尔站在了同一起跑线上。

　　然而，10nm的研究，似乎并不顺利。

　　按照英特尔的计划，10nm预计在2015年就能推出，由于14nm工艺的跳票，打乱了时间节点，并且10nm的研究中可能遇到了不小的难题。

　　目前，英特尔10nm工艺已经开始试产，并且表示将在2017年上半年量产10nm，在下半年发布10nm产品。

　　反观三星，虽然在去年展示了10nm的晶圆，并表示将在2017年量产10nm工艺。但是到目前为止，几乎没什么动静。

　　与三星同为竞争对手的台积电却是非常高调，宣布将在今年底开始量产10nm。这一点也是可以理解，毕竟与三星同为晶圆代工，谁先胜出，谁就能得到更多的代工业务。

　　不过，有专业人士透露，台积电的十六纳米等于英特尔的二十纳米、十纳米等于英特尔的十二纳米……在这一方面，台积电也是积极承认。

　　纳米工艺的进步，使得我们在同样大小的芯片上，能够感受更强大的性能;在运行速度更快的同时，也更加省电;这些更小的晶体元件，只需要更低的导通电压，能效也会随之提升;最为重要的是，组件越小，同一片晶圆可切割出来的芯片就可以更多。即使更小的工艺需要更昂贵的设备，其投资成本也可以被更多的晶片所抵消。

　　未来，7nm，5nm甚至更小的纳米制造工艺也会相继出现，虽然有专家分析，目前10nm工艺或许将成为硅材料晶体管的物理极限。但英特尔等厂商不会停止不前，因为，他们对于“极限”的追求是永无止境的。