解析韩国半导体产业三大发展源动力

　　发展源动力

　　1. 政府推动

　　1975年，成立韩国高级科学技术研究院

　　1976年，成立韩国电子技术研究所，重要工作是进行超大规模集成电路的研究，负责半导体产业国家级科研项目的开发

　　1986年~1993年，政府实施“超大规模集成电路技术共同开发计划”

　　1997年，政府通过“新一代半导体基础技术开发项目”

　　下图为韩国政府促进半导体产业发展的计划和立法。

　　2. 产学研合作

　　在“超大规模集成电路技术共同开发计划”的推动下，以国家电子研究所为主，三星、现代、LG等大企业参加组成半导体研究开发组织。集中人才、资金，进行从1M到64M的DRAM核心基础技术(又称：源泉技术)的开发。

　　3. 企业从引进到自主研发

　　为缩短与先进国的技术差距，企业积极导入国外技术，比如三星从Micro Technology与Aytrex、现代从德州仪器与Vitelic、LG从Micro Technology与AT&T进行技术的引进。

　　受益于源泉技术，16M以后的DRAM转为以企业开发为主。1992年11月，成功开发出64M DRAM;1997年末，成功开发出256M DRAM的基础技术和1G DRAM的先进基础技术;2014年4月，开发出业内最早4G DRAM。

　　韩国半导体的快速发展坚持的是循序渐进的方式，引进、合作、自主融合。内部技术与外部技术的整合，是三星能迅速崛起的一个捷径选择。