3D封装技术英特尔有何独到之处

　　立体种植晶体管，对不起，暂时还不能。3D封装说得很清楚，就是在空间中而不是平面化封装多个芯片。也许你会说，这有什么新鲜的，芯片堆叠技术不是老早之前就被广泛使用了么，无论是DRAM还是NAND，都已广泛采用堆叠技术，特别是NAND已经从128层甚至更多层迈进。而智能手机所使用的SiP芯片，也是将SoC与DRAM堆叠在一起的。

　　DRAM/NAND堆叠相对简单，由于各层半导体功能特性相同，无论是地址还是数据，信号可以纵穿功能完全相同的不同楼层，就像是巨大的公寓楼中从底到顶穿梭的电梯。存储具有Cell级的高度相似性，同时运行频率相对不高，较常采用这种结构。

　　SoC和DRAM芯片的堆叠，采用了内插器或嵌入式桥接器，芯片不仅功能有别，而且连接速度高，这样的组合甚至可以完成整个系统功能，因此叫SiP(System in Package)更准确。SiP封装足够小巧紧凑，但是其中功能模块十分固定，难以根据用户需要自由组合IP模块，也就是配置弹性偏低。

　　在去年年初，英特尔推出Kaby Lake-G令人眼前一亮，片上集成AMD Vega GPU和HBM2显存的Kaby Lake-G让EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)封装技术进入人们眼帘，而该技术还只是2D封装，也就是所有芯片在一个平面上铺开。

　　现在，英特尔已准备好将3D封装引入主流市场，也就是Foveros。Foveros3D封装将多芯片封装从单独一个平面，变为立体式组合，从而大大提高集成密度，可以更灵活地组合不同芯片或者功能模块。