UnitedSiC（现为 Qorvo）针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款750V碳化硅(SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo的SiC FET可为车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/202207/436686.htm
Qorvo的第四代UJ4C/SC系列在650/750V时具有9mΩ的业界更低RDS(on)，其额定值分别为9、11、18、23、33、44和60mΩ。这种广泛的选择可为工程师提供更多的器件选项，从而具有更高的灵活性，以实现更佳的成本/效率平衡，同时保持充足的设计冗余和电路稳健性。利用独特的级联式（cascode）SiC FET技术，其中常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装以生成常关型SiC FET，这些器件可提供同类更佳的RDS x A品质因数，能够以较小芯片实现较低传导损耗。
Qorvo旗下UnitedSiC首席工程师Anup Bhalla表示：“D2PAK-7L封装可降低紧凑型内部连接环路的电感，与包含的Kelvin源极连接一起，可降低开关损耗，从而实现更高的工作频率和更高的系统功率密度。这些器件还采用银烧结（silver-sinter）芯片贴装技术，热阻非常低，可通过标准PCB和带液体冷却的IMS基板最大限度地散热。”
采用D2PAK-7L封装的新型750V第4代SiC FET单价（1000片以上，美国离岸价）从UJ4C075060B7S的3.50美元到UJ4SC075009B7S的18.92美元不等。所有器件均可从授权分销商处获得。
Qorvo旗下UnitedSiCUJ4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列能够提供行业更佳性能品质因数，从而在更高速度下降低传导损耗并提高效率，同时提高整体成本效益。
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