贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET

2022年11月29日–提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子

(Mouser Electronics)提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。

贸泽电子供应的英飞凌通用MOSFET包括用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些器件的漏-源电阻额定值为1.1mΩ至30Ω，连续漏电流范围介于100mA至260A。这些低压MOSFET的工作温度范围介于-55°C至+175°C，符合AEC-Q101标准。

高压MOSFET的漏-源击穿电压范围介于500V至900V，漏-源电阻范围介于77mΩ至4.68Ω，持续漏电流范围介于1A至54.9A。这些器件的最低工作温度为-40°C，功耗范围介于5W至500W。

贸泽分销的英飞凌通用MOSFET提供多种封装选项，包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220。所有这些器件都有配套的英飞凌在线设计工具、仿真模型和全面的产品支持文档。

这些通用MOSFET非常适合各种电源转换和管理应用，可以集成到需要电池反向保护功能、在备用电源之间切换电源或可关闭非必要负载的设计中。其目标应用包括开关电源、充电器和适配器、照明、电视电源、服务器/电信设备、电池供电应用、电机控制和驱动器，以及电池管理系统。