Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

中国北京，2023年3月21日——全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo^®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装(TOLL)封装技术，其高性能具体表现在：750VSiC FET拥有全球最低的5.4 (mΩ)的导通阻抗。这也是Qorvo公司750VSiC FETs产品TOLL封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从5.4 mΩ到60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流/直流电源以及高达100A的固态继电器和断路器。有助于帮助客户减小体积尺寸，提高功率密度。

在600 /750V这一层次电压功率FETs类别中，Qorvo第四代(Gen 4)SiC FETs产品的主要性能：比如导通电阻和输出电容方面领先业界。此外，在TOLL封装中，Qorvo的器件具有最低5.4 mΩ的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的Si MOSFETs、SiC MOSFETs和GaN晶体管的导通阻抗还要低上4-10倍。SiC FETs的750V额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客户产品应用中的开关管电压瞬变尖峰提供了更多的设计裕量。

Qorvo电源器件事业部首席工程师Anup Bhalla表示：“在TOLL封装中推出我们的5.4 mΩ Gen4 SiC FET旨在为行业提供最佳性能器件以及多种器件选择，为此我们已迈出重要的一步，尤其对于从事工业应用的客户，他们需要这种灵活性和提升成本效益的电源设计组合。”

TOLL封装与D2PAK表面贴装器件相比，尺寸减少了30％，高度为2.3mm，相当于同类产品的一半。尽管尺寸缩小，但先进的制造技术实现了行业领先的0.1℃/ W热阻（从结到壳）。导通直流电流额定值最大为120A，此时对应的壳温为144℃，在0.5毫秒时间内，脉冲冲击电流最大值可以达到588A。结合极低的导通电阻和出色的瞬态散热能力，Qorvo的750V TOLL封装产品的“I2t”值比同一封装的Si MOSFET高出约8倍，有助于提高客户产品的鲁棒性和抗瞬态过载能力，同时也简化了设计。TOLL封装还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。

这些第四代SiC FET利用Qorvo独特的Cascode电路结构（即共源共栅），将SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和Si MOSFET简化的门级驱动的优势。

现在可使用Qorvo免费在线工具FET-JET计算TOLL封装的Gen4 5.4mΩ SiC FET，该计算器可以立即评估各种交流/直流和隔离/非隔离的DC / DC转换器拓扑连接的效率、元器件损耗和结温上升。可将单个和并联的器件在用户指定的散热条件下进行对比，以获取最佳解决方案。

3月19日至23日，该系列产品于位于佛罗里达州奥兰多举行的应用电源电子产品会议(APEC)上展示，Qorvo展位号632。