那些进入大陆的晶圆厂，进展生变

体发展火热，2022 年我国全年集成电路产量 3241.9 亿块，出口数量总额 2734 亿块。不过，中国大陆生产的晶圆有大约一半是由海外以及中国台湾地区的公司生产的。

中国大陆排名靠前的十大芯片制造企业中，有五家是国际芯片制造巨头，包括：三星、英特尔、SK 海力士、台积电、联电等。

在华建厂并非特例，早在 20 年前，诸多国际巨头公司纷纷赴华搭建其子公司。随着美国频频公布相关「禁令」，国内的外资及台资晶圆厂也在逐渐修改一些计划。

国内有哪些海外晶圆厂？

英特尔

前不久，英特尔 CEO 帕特·基辛格访问中国，受到了中国政府多位官员的会见。植根中国近 40 年，帕特·基辛格表示，英特尔中国是英特尔的战略之重。

英特尔（中国）在 1994 年成立于上海，2007 年，英特尔宣布在大连市建设 12 英寸晶圆制造工厂，这是英特尔在亚洲唯一的晶圆制造厂。

三年后，英特尔大连晶圆厂宣布投产，在 2015 年前主要生产 65nm 制程的产品，之后则主要生产 3D NAND 存储产品，这是英特尔闪存业务的主要产线。

2017 年 5 月，英特尔还专门在其大连工厂发布了采用 3D NAND 技术的全新数据中心级固态盘。2018 年 9 月，英特尔当时最先进的 96 层 3D NAND 产品也在大连投产。

随着 2020 年，英特尔宣布向 SK 海力士卖出其 NAND 闪存业务，英特尔在中国唯一的晶圆制造工厂也拱手让给 SK 海力士。

三星

三星是最早入驻中国的企业，早在 1993 年，三星就在天津成立了合资公司。三星在国内的晶圆厂有两座，分别是在苏州、西安。1994 年，三星电子（苏州）半导体有限公司成立，主要从事半导体产品封装、测试业务。

2012 年，三星在西安建立自己全资子公司三星（中国）半导体有限公司，生产存储芯片。2014 年投产的一期项目共投资 137 亿美元，2021 年 10 月满产的二期项目投资了 133 亿美元。

从产能方面看，第一工厂每月 12 万片、第二工厂每月可加工 13 万片。因此，三星电子在西安工厂生产的 NAND 闪存的月生产量达到了 25 万片。这一产能占三星电子 NAND 闪存总产量的 40% 以上。根据之前的规划，三星还将投资 150 亿美元建设西安三期项目，主要制造 5G 芯片和汽车芯片。

SK 海力士

如前文所述，英特尔出售其 NAND 闪存业务，SK 海力士就是其收购买家。目前，SK 海力士在中国大陆无锡、大连（从英特尔手中收购而来）拥有晶圆厂。

SK 海力士在 2019 年完成第二工厂 C2F 的建设。随着 C2F 项目的持续推进，SK 海力士无锡工厂的 DRAM 芯片产量约为公司整体产量的一半，占全球产量的 15%。

此外，在 2021 年 SK 海力士还将其位于韩国青州的 8 英寸晶圆代工厂 M8 迁至了无锡，预计 2022 年全部投产后将月产 11.5 万片 8 吋晶圆，高于原来韩国 M8 工厂的 10 万片月产能。

2022 年，SK 海力士表示出资 2.394 万亿韩元（约合人民币 126.7 亿元），这批资金将于今年底至 2025 年用于对无锡 DRAM 工厂的补充投资。

台积电

2004 年，台积电在上海建设 8 英寸晶圆厂，一期工程月产 35000 片 8 英寸集成电路芯片。之后，经过扩建其总产能达到 110000 片/月。

2016 年，台积电确定在南京建设 12 英寸厂。根据台积电披露，其南京 Fab16 厂目前主要制造 12nm、16nm 工艺的芯片，产能为 2 万片/月。此后，台积电开临时董事会，宣布计划斥资 28．87 亿美元（约合人民币 187 亿元），在南京扩建 28nm 芯片生产线，到 2023 年中期月产能规模达到 4 万片。

联电

联电在大陆厦门、苏州均有晶圆厂。联电的苏州晶圆厂为和舰芯片公司，2003 年 5 月正式投产，目前月产量约 8 万片，产值占联电整体合并营收约 5%。2014 年，舰芯片设立子公司厦门联芯，开始建设 12 英寸晶圆厂，并于 2016 年 11 月投产，其总设计月产能为 50000 片，目前月产能接近 20000 片。

总体来看，大陆本土的一些最大的晶圆厂由 SK 海力士、三星、台积电和联电所有。目前中国集成电路制造业中，外资和台资的占比仍然达到 70%。

计划开始发生变化

美国一直在发布对于中国半导体相关的出口管制，其中 2022 年出台了两项影响大陆晶圆厂最大的新规。

具体来看，美国规定美国企业生产的先进半导体生产设备必须获得美国商务部的许可证，才能向中国出口。此举直接限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取 16/14nm 及以下先进逻辑制程芯片、128 层及以上 NAND 闪存芯片、18nm 半间距或更小的 DRAM 内存芯片所需的制造设备的能力。

这就包括了三星、SK 海力士、台积电等国际企业在中国大陆的晶圆厂。

虽然此前，三星电子与 SK 海力士均获得了美国商务部的豁免许可，使得他们一年内位于中国大陆的晶圆厂的生产都将暂时不会受到禁令的影响。但随着时间流逝，这些晶圆厂也都在早做打算。

首先来看三星和 SK 海力士。三星西安晶圆厂最先进的产品为 128 层 3D NAND，SK 海力士无锡晶圆厂最先进的产品为 17nm DRAM。目前在中国大陆晶圆厂最先进的技术制程，都超出了美国新规的限制要求。

近期，三星电子在中国西安工厂的 NAND 闪存生产亮起了红灯。

有分析认为，随着生产 NAND 闪存的 Mother Fab（优先启用最新工艺的工厂）——平泽工厂和西安工厂技术差距不断拉大，西安工厂的运营效率相对而言正在降低。换言之，在 Mother Fab 最先投入使用的 200 层以上最尖端 3D NAND 技术和工艺难以传授给西安工厂。

据韩国媒体 BusinessKorea 报道称，在今年二季度，三星的西安工厂将大幅度将产。就中国西安一厂而言，预计将减产至每月 110,000 片，比 2022 年第四季度的每月 125,000 片减少 12%。此外，西安二厂预计将推出 135,000 片，比之前的 14.5 万张减少了约 7%。

三星电子虽在去年第四季度经营业绩电话会议上称，不会人为减产，但随着中国半导体工厂工艺升级受阻，预计将出现自然减产的效果。业界人士解释称：「NAND 价格从去年到今年一直呈走低趋势，在生产效率竞争中，凭借西安工厂的 100 层 3D NAND 势必会落后于 SK 海力士、美光等公司」，「三星应该会制定战略降低西安工厂的比重。」

SK 海力士也传出消息。

韩国最大的媒体《朝鲜日报》报道，从今年第一季度开始到年底，SK 海力士决定将最大的 DRAM 生产据点之一的中国无锡工厂晶圆投入量定在每月少于 16 万张。该数值相较于去年减少了约 10%。

在 2023 年第二季度，SK 海力士将晶圆开工量每月减少约 30 %。并且，SK 海力士原本划将其无锡晶圆厂的主流工艺从 1Y 纳米过渡到 1Z 纳米，从而减少传统工艺的产量。现在，由于受到美国禁令的限制，该公司转而选择增加其 21 纳米生产线的份额，专注于 DDR3 和 DDR4 4Gb 产品。

台积电计划扩产南京厂，在传出 ASML 的光刻机受到限制后，也有流言传出「南京工厂扩产暂停」。不过，前不久在台积电公布业绩报告时，已经回应「台积电正在按计划在南京扩展 28 纳米产能，持续恪守所有规章制度以支援客户。」

由于联电早在 2018 年就宣布放弃 12nm 以下先进制程的投资，美国的禁令对联电在华工厂的投资影响似乎不大。联电在大陆同比启动扩产计划，厦门联芯的 12 英寸晶圆厂，产能则已达第一阶段满载 2.75 万片规模，联芯目前将以提升一厂营运效率为主，进一步提升 28nm 产能比例，并进行 28nm 及 22nm 特色工艺研发。

内资企业需要加速了

从《全球晶圆产能报告》来看，2021 年全球晶圆月产能约为 2160 万片 200mm 当量。而中国大陆的产能约为 350 万片每月，计算下来约占全球产能的 16％。从地区晶圆产能排名来看，中国大陆的晶圆产能能够排到第三，紧随中国台湾地区。

目前看来，中国集成电路制造业在全行业的占比在逐年提高，达到了 28.9%；在全球产业中的比重，已经达到了 19.9%。但值得关注的是，中国集成电路制造业中，内资占比仍然只有 31.1%。

此为中国半导体行业协会副理事长叶甜春公布的一张表。从上表中可以看到，2016 年-2020 年期间，前十大公司中内资晶圆制造企业的销售收入从 364.4 亿元上涨到 567.4 亿元，但整体占比却从 44% 降低到了 27.7%。

相比之下，外资晶圆制造企业贡献的销售收入份额，从 2016 年的 49.1% 已经变为了 61.3%；台资企业贡献的收入占比也从 6.9% 涨到了 11%。这说明虽然内资制造企业也在增长，但是其增速远远低于外资企业的增长。

好消息是，据叶甜春判断：「未来可能随着各地的扩产步伐加快，产能开始投入使用，这个情况会得到扭转。」

虽然 SK 海力士、台积电和联电正在扩大他们在中国现有的晶圆厂，但是中国在建的大部分新晶圆厂都归国内实体所有。

作为内资晶圆代工龙头，中芯国际在半导体行业下行周期中，2022 年 8 月拟在天津投资 75 亿美元建设 12 英寸晶圆代工生产线项目，规划产能为 10 万片/月。2023 年存储企业扩产好于先前预期，二三线晶圆厂粤芯、晋华、燕东等合计扩产量预计仍有一定增长。