国内8英寸SiC传来新进展

近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。

在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶盛机电已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产；天科合达计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产，同时该公司在5月与半导体大厂英飞凌签订碳化硅长期供应协议。近期，科友半导体传来了新消息。

6月22日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。此前4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。

具体来看，在尺寸、厚度方面，科友半导体实现了高厚度、低应力6/8英寸碳化硅晶体稳定制备，在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上，8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。

缺陷密度方面，科友半导体6英寸晶体位错缺陷密度＜3000个cm-2，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-2，位错缺陷密度＜5000个cm-2，晶体质量处于行业领先水平。

生长速率方面，科友半导体基于高热场稳定性、高工艺稳定性、和高装备稳定性，突破了8英寸SiC晶体快速生长工艺技术，长晶速率已达到170μm/h以上，长晶周期约为4-5天，单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。

产品良率方面，科友半导体基于6英寸晶体研发生产经验，开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。

资料显示，科友半导体成立于2018年5月，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，已形成自主知识产权，实现先进技术自主可控。

科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。

目前，科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望粉碎国际封锁，成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。