美光率先出货用于AI数据中心的关键内存产品

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达5,600 MT/s。该款128GB DDR5 RDIMM内存采用美光行业领先的1β（1-beta）制程技术，相较于采用3DS硅通孔（TSV）技术的竞品，容量密度提升45%以上，[1]能效提升高达22%，[2]延迟降低高达16%¹。

美光与行业领先的厂商及客户合作，推动了这些高性能、大容量新模组在高吞吐量服务器CPU上的广泛应用。该款高速率内存模组特别针对数据中心常见的任务关键型应用，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB）以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景，满足它们的性能需求。美光128GB DDR5 RDIMM内存模组获得了强大的生态支持，包括AMD、HPE、英特尔、Supermicro等众多公司。

美光副总裁暨计算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示：“随着该款产品批量出货里程碑的达成，美光继续引领市场，为客户提供通过各主流CPU平台认证的大容量RDIMM。目前，AI服务器可搭载美光的24GB 8层堆叠HBM3E作为GPU附加内存，以及美光的128GB RDIMM作为CPU附加内存，从而提供内存密集型工作负载所需的大容量、高带宽及低功耗的基础设施。”

行业应用

AMD高级副总裁暨服务器事业部总经理Dan McNamara表示：“我们与美光合作的宗旨在于，通过高性能内存来提升数据中心基础设施的能力，以应对计算密集型工作负载的需求。通过此次合作，我们共同的客户可以在搭载AMD EPYC（霄龙）CPU的服务器上立即体验到美光大容量DDR5内存带来的显著优势，从而实现现代数据中心所需的性能和效率。”

HPE高级副总裁兼主流计算总经理Krista Satterthwaite表示：“在AI的训练、调优及推理阶段，采用先进的内存技术，并同时确保高性能和高效率，对于支持不断增长的AI工作负载至关重要。我们致力于提供最高性能、低功耗的解决方案，并计划通过与美光的合作，在我们的AI产品组合中全面采用单块高密度DRAM，帮助企业客户获得最佳性能，应对各种工作负载。”

英特尔内存与IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：“美光128GB DDR5 RDIMM内存是首款基于32Gb单块DRAM芯片的大容量DIMM产品，已完成第四代和第五代英特尔^®至强^®处理器平台上的内存兼容性认证。该款基于32Gb单块DRAM芯片的DDR5内存模组可加速关键服务器和AI系统配置，为基于英特尔^®至强^®处理器的系统带来关键的性能、容量和最至关重要的能效优势。我们很高兴继续与美光合作，推动创新产品在市场上的广泛应用，解决AI和服务器客户面临的内存容量和能耗瓶颈问题。”

Supermicro联合创始人兼业务发展高级副总裁Wally Liaw表示：“Supermicro基于英伟达、AMD和英特尔打造业界最广泛的加速服务器和解决方案组合，引领行业前行。有远见的客户正致力于在AI基础设施中实现大内存空间、高性能和高效率的改进。我们很高兴与美光合作，共同实现这一突破。通过搭载全新基于32Gb单块DRAM芯片的128GB内存模组，Supermicro先进的GPUSuperServers将为客户提供显著的优势。”

美光128GB DDR5 RDIMM内存模组已开售，现可直接从美光购买，并将于2024年6月起通过全球部分渠道分销商和经销商对外供应。美光为数据中心提供全面的内存产品组合，提供涵盖DDR5 RDIMM、MCRDIMM、MRDIMM、CXL和LPDDR5x等外形规格的一系列内存产品，助力客户轻松集成这些优化的解决方案，满足AI和高性能计算（HPC）应用对于高带宽、大容量和低功耗的需求。

[1]基于竞品的数据表和JEDEC规范。

[2]与SK海力士的5,600 MT/s 3DS TSV产品相比，美光5,600 MT/s 128GB DDR5 RDIMM内存的能效提升22.2%。