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英特尔打破散热瓶颈摩尔定律再活百年

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作者:赛迪网 时间:2007-01-29 来源: 收藏

 1月28日消息,据国外媒体报道,日前宣布,已经解决了长期困扰半导体行业的问题。

  据美联社报道,日前表示,已经开发出新的材料来替代当前晶体管中的易发热材料。与当前材料相比,新材料能够降低电子泄露10倍以上,提升晶体管性能20%以上。

  业内专家称,这将是自20世纪60年代以来晶体管技术史上的最大突破。该技术允许半导体厂商制造体积更小的电子产品。

  近年来,尽管半导体公司仍在续写摩尔定律,但问题已经成为半导体厂商所挠头的问题。这主要是由于晶体管所采用的绝缘材料二氧化硅体积越来越小,电流数量增加导致发热量过高。

  半导体厂商在晶体管中使用二氧化硅的历史已经40多年。而的新技术就是利用新材料来取代二氧化硅,从而降低芯片发热量。

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关键词:芯片散热英特尔

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