表面封装型LED散热与O2PERA

　　(3)芯片本身的发光效率改善

　　(4)高效率取光封装结构

　　其中最简单的方法是增加电流量，使光量呈比例性增加，不过此时LED芯片产生的热量会增加。图7是电流投入LED芯片时的放射照度量测结果，如图所示在高输出领域放射照度呈饱和、衰减状，主要原因是LED芯片发热所致，为实现LED芯片高输出化，必需进行有效的热对策。

　　接着介绍应用陶瓷特性的封装技术。

　　封装的功能

　　封装主要目的是保护内部组件，使内部组件与外部作电气性连接，促进发热的内部组件散热。对LED芯片而言，封装的目的是使光线高效率放射到外部，因此要求封装材料具备高强度、高热传导性与高反射性。

　　陶瓷封装的优点

　　陶瓷材料几乎网罗上述所有要求特性，非常适合当作LED的封装。表2是主要陶瓷材料的物性，如表2所示陶瓷材料的耐光劣化性，与耐热性比传统环氧树脂更优秀。

　　目前高散热封装结构是将LED芯片固定在金属板上周围包覆树脂，此时芯片材料与金属的热膨胀差异非常大，LED芯片封装时与温度变化的环境下，产生的热歪斜极易引发LED芯片缺陷，造成发光效率降低、发热等问题，随着芯片大型化，未来热歪斜势必更严重。陶瓷材料的热膨胀系数接近LED芯片，因此陶瓷被认为是解决热歪斜最有效的材料之一。

　　封装结构

　　照片1是高输出LED用陶瓷封装的实际外观;图8是陶瓷封装的构造范例，图中的反射器电镀银膜，可以提高光照射效率 。图8(c)是应用多层技术，使陶瓷与反射器成形一体结构。

　　为了使发热的LED芯片正常动作，必需考虑适当的散热系统，这意味着封装已经成为散热组件的一部份。接着介绍有关散热的处理方式。

　　散热设计必需考虑如何使LED芯片产生的热透过筐体释放到外部。图9是LED Lamp内部的热流与封装内侧理想热扩散模式。

　　如图9右侧实线所示，高热扩散性封装的内侧(P~Q之间)温度分布非常平坦，热可以扩散至封装整体，而且还非常顺畅流入封装基板内，因此LED芯片正下方的温度大幅下降。

　　图10是利用热模拟分析确认该状态获得的结果，该图表示定常状态温度分布，与单位面积时的单位时间流动的热量，亦即热流束的分布状况。由图可知使用高热传导材料的场合，封装内部的温差会变小，此时并未发现热流集中在局部，封装内部的热扩散性因而大幅提高。

　　陶瓷是由铝或是氮化铝制成，若与目前常用的封装材料环氧树脂比较，铝质陶瓷的热传导率是环氧树脂的55倍，氮化铝陶瓷的热传导率是环氧树脂的400倍。此外金属板的热传导率大约是200W/mK，铝的热传导率大约是400W/mK左右，要求高热传导率的封装，大多使用金属作base。

　　LED芯片接合剂的功能

　　半导体芯片接合剂使用的材料有环氧系、玻璃、焊锡、金共晶合金等等。LED芯片用接合剂除了高热传导性之外，基于接合时降低热应力等观点，要求低温接合、低杨氏系数等特性，符合要求的在环氧系有“添加银的环氧树脂”，共晶合金则有“Au -20% Sn”等等。