IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IRL6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/236045.htmIRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500µΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作,在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中,可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗,使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“StrongIRFET系列经过扩充后,能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻,从而实现无可比拟的功率密度。”
与DirectFET系列的其它器件一样,IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能,以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外,DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。
规格
器件编号
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电压
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最高VGS
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封装
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电流
额定值
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导通电阻(典型/最高)
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认证级别
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(V)
|
(V)
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(A)
|
10V
|
4.5V
|
2.5V
|
|||
20
|
12
|
DirectFET MD
|
211
|
.50/.75
|
.65/.87
|
1.1/1.5
|
工业
|
|
IRFH8201
|
25
|
20
|
PQFN 5x6B
|
100*
|
.80/.95
|
1.20/1.60
|
不适用
|
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IRFH8202
|
.90/1.05
|
1.40/1.85
|
||||||
IRFH8303
|
30
|
.90/1.10
|
1.30/1.70
|
|||||
IRFH8307
|
1.1/1.3
|
1.7/2.1
|
||||||
IRF8301M
|
DirectFET MT
|
192
|
1.3/1.5
|
1.9/2.4
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IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环保封装,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品现正接受批量订单。
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