- 采用标准0．18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试，结果表明该片上天线工作在20CHz，具有小型化的性能，同时具备三次谐波抑制的功能。
- 关键字：CMOSEBG制造天线
- 本文提出的是一种基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)结构的创新型结构，对于同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更优秀的特性。我们设计的这款新型EBG结构，是在周期性L-bridge EBG结构的基础上，在一些单元内插小型的L-bridge EBG。通过仿真验证，此结构具有传统型L-bridge EBG结构所不具有的超带宽抑制能力和较大的抑制深度。然后我们运用电路模型和平行板谐振腔原理分析了该结构上下变频。另外，通过3-D
- 关键字：EBGSSN电源完整性IR-Drop201607
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- 关键字：同步开关噪声超带宽电磁带隙结构EBG
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- 关键字：EBG可重构天线U型缝隙微带天线方向图可重构
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- 关键字：EBG片上天线
- 采用标准0．18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试，结果表明该片上天线工作在20CHz，具有小型化的性能，同时具备三次谐波抑制的功能。
- 关键字：CMOSEBG制造天线
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