应用材料公司突破导线技术传统瓶颈

应用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化学气相沈积(CVD)系统加入独特的钴金属后，一举突破导线技术传统瓶颈，让“摩尔定律”持续向下进展到20纳米。此外，应材的EnduraVentura实体气相沈积(PVD)系统不但成功协助客户降低成本，更可制造出体积更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。

　　在强大技术创新突破的支持下，应用材料公司在营运方面也颇有斩获。应用材料公司台湾区总裁余定陆表示，拜半导体事业的蓬勃发展与应用材料公司不断追求创新与研发的技术优势之赐，应用材料公司第二季营收达23.5亿美元，较去年同期大幅成长19%;此外毛利率也达44.2%，营业利益率则达20.5%。

　　余定陆透露，“应用材料公司的市占率也来到近七年的新高，比去年提升1.4个百分点;应用材料公司在绝大多数的产品线都出现显著成长，蚀刻(Etch)与检测(PDC)机台产品在市场也大有斩获，营收双双创下近期新高纪录。”

　　余定陆表示，为半导体产业提供成长动能的移动设备，也持续为应用材料公司带来许多转折，原因是“我们的客户需要能够制造出低耗电、高效能、更快、更便宜的解决方案，这个转折点尤其有利于应用材料公司发挥精密材料工程方面的领导地位。”

　　据统计，2010年至2013年晶圆设备产业已连续4年资本支出都达到300亿美元的规模，2014年更可望成长10%至20%，显示此一产业的成长依旧强健。余定陆表示台湾晶圆设备市场的成长尤为惊人，远高于业界平均，预期到明年，近五年的成长率将达到47%的高水平。

　　关于制程方面，余定陆预测2014年将是晶圆代工产业20纳米技术与3DNAND起飞量产的一年，技术层面上最重要的转折点包括从2D的微影微缩(litho-scaling)，转变为3D材料与结构上的创新，而使用的材料种类也同时大幅增加。

　　余定陆同时表示，晶圆代工产业也将从过去的SiON氮氧化硅进化到HKMG高K值金属闸极，再发展到3D鳍式场效晶体管(FinFET)。从28纳米技术的HKMG演进至16纳米/14纳米技术的FinFET，应用材料公司在这个市场的商机规模，可望增加25%~35%。

　　余定陆强调，应材公司的EnduraVoltaCVD系统加入钴金属后，不但带动近15年来最重大的导线技术材料变革，也解决覆铜电路长期面对的关键挑战，让“摩尔定律”一口气突破20纳米瓶颈，成为目前市面上唯一能够做到精密钴金属薄膜沈积的机台。此外，在EnduraVenturaPVD系统方面，除了展现应材公司的精密材料工程技术，也独特地支持以钛作为阻障层量产的替代材料，能节省更多成本，这套领先业界推出高量产等级的硅穿孔(TSV)金属化制程解决方案，大幅提高TSV制程的可靠性。