SK海力士扩大HBM供应量抢占次世代半导体市场

　　2014年上半SK海力士(SKHynix)业绩告捷，在次世代存储器技术竞争中也占据优势，未来可望带动版图变化。

SK海力士的次世代存储器获全球系统芯片业者搭载在2016年以后上市产品，并进行性能测试，未来将有机会超越三星电子(SamsungElectronics)和美国美光(Micron)等竞争对手，在市场竞争中也将居优势。

　　据韩国每日经济报导，SK海力士的次世代超高速存储器(HBM)将优先供应给AMD、NVIDIA等全球性系统芯片业者，搭载于次世代产品中进行测试。

　　SK海力士的次世代DRAM存储器HBM是将DRAM4层堆叠的产品。与现有的DRAM相比，资讯处理速度快4倍，且耗电量减少约40%。

　　SK海力士计划2014年底或2015年第1季，于京畿道利川厂中量产该产品，2015年应用在绘图处理器(GPU)、2016年起优先供应给伺服器、超级电脑、网路、高性能电脑等产品使用。之后将扩大应用范围到电视游戏机(gameconsole)、数位消费性产品等。

　　SK海力士的成果来自于完全改变PC的中央处理器(CPU)设置模式。目前PC业者是各自取得CPU和存储器的供货，但未来可能会以一颗CPU上搭载多颗存储器的系统级封装(SiP)形态进行采购。装置往小型、轻量化的方向发展，芯片也往整合为一的方向发展。

　　SK海力士2013年底采用直通矽穿孔(TSV)技术研发出HBM，目前向固态技术协会(JEDEC)申请标准化，全力推动商用化。

　　HBMDRAM是可以取代DDR的技术。智能型手机时代来临后，电脑和电脑运算的DRAM性能和容量也随之提升，耗电量也要求要缩减。但现有的DDR系列DRAM在降低耗电量同时提升资讯处理速度方面仍有技术上限，目前存储器芯片性能最好的产品为GDDR5，每秒可处理6GB资讯。

　　SK海力士的HBM采TSV技术，将20纳米级DRAM4层堆叠，克服技术瓶颈。所谓TSV是将2颗以上芯片垂直堆叠穿孔并形成电极，让芯片间可传输讯号的尖端封装技术。

　　在1.2V电压下，处理速度为1Gbps，共有1,024个输出、输入口，每秒可处理128GB资讯量。即资讯处理速度快4倍以上，且耗电量较低。

　　韩国业界认为，存储器市场版图将自然而然出现变化。三星在次世代DRAM研发上也绝对不逊于SK海力士，但以封装方式供货的SK海力士，在2016年后，可望撼动三星电子DRAM强者地位。

　　三星电子强化移动应用处理器(AP)、晶圆代工等系统芯片事业，英特尔(Intel)、高通(Qualcomm)等大厂也都出手牵制三星等，对存储器事业也将带来影响。