英飞凌全新MOSFET系列为工业、消费和电信应用降低30%功耗

英飞凌科技股份公司近日宣布推出三个全新的功率半导体系列，进一步丰富广博的OptiMOSTM 3 N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能， 使其能够在采用标准TO(晶体管外形)封装的条件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻，与其他竞争性解决方案相比，可增加高达30%的功率密度，使相关应用的组件数降低25%以上。

　　这些全新的MOSFET适用于多种功率转换和管理应用，包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备以及电动工具、电动剪草机和风扇等消费类设备采用的SMPS(开关模式电源)、DC/DC转换器和直流电机驱动器。

　　全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的RDS(on)(导通电阻)，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封装具备最低1.6 mΩ的导通电阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封装具备最低3.5 mΩ的导通电阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封装具备最低2.5 mΩ的导通电阻。这些器件的FOM(优值，通过导通电阻乘以栅极电荷得出) 与同类竞争产品相比高出25%，能够快速实现开关，同时最大程度降低传导损耗和导通功耗，提高功率密度。此外，它还能降低驱动器产生的热量，因此可提高系统的可靠性。另外，较低的导通电阻允许采用3 mm x 3 mm S3O8(Shrink SuperSO8)等小型封装，因此在设计产品时只需较小的空间，提高了功率密度。

英飞凌电源管理与驱动产品业务部负责人Gerhard Wolf表示：“作为全球功率半导体市场领袖，英飞凌凭借丰富的OptiMOS MOSFET系列产品，使低压功率转换与管理应用实现了最佳的性能和效率。我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术，不断改进器件性能，同时逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性价比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和开关特性，有助于电源和电机设计者满足日益严格的节能要求，同时保证提供用户所需的卓越性能。”

　　OptiMOS3 40V、60V 和 80V产品详情

　　OptiMOS 3 40V系列可满足多种应用中的快速开关SMPS和DC/DC转换器的需求，比如打印机、非绝缘工业转换器和绝缘DC/DC转换器，在这些应用中30V MOSFET不能提供足够的击穿电压。在SuperSO8封装下，OptiMOS 3 40V系列的导通电阻低至1.6mΩ，比最接近的竞争对手要低50%以上。该特性以及1°K/W的热阻和100A的持续电流额定值为40V系列的低阻抗MOSFET设立了新基准。该系列还包括业界首款采用S3O8封装的40V击穿电压MOSFET，其占位空间与标准SO8或SuperSO8器件相比减少了60%。

　　OptiMOS3 60V 和 80V系列主要用于SMPS和电机控制装置及直流/直流无刷电机和有刷电机驱动器的二次侧整流。OptiMOS3 80V系列也是适用于电信应用产品的理想器件。这种全新的MOSFET可提供一流的导通电阻;例如OptiMOS3 80V采用TO-220封装可提供2.8 mΩ导通电阻，而其他同类竞争产品提供的导通电阻不低于3.3 mΩ。较低的导通电阻结合0.5° K/W的热阻和100A的持续电流额定值，使英飞凌全新MOSFET成为60V与80 V系列功率半导体中首屈一指的产品。它们还采用了D-PAK封装，与传统的D2-PAK封装相比，可使所需的板卡空间降低50%以上，同时使SMPS产品设计的封装高度降低40%。

　　供货与定价

　　全新OptiMOS 3 40V、60V与80V功率MOSFET系列采用标准TO封装以及SuperSO8和S3O8封装，具有不同的导通电阻额定值。OptiMOS 3 60V系列现已开始批量生产，40V 和 80V器件目前只提供样品。采用SSO8封装且导通电阻为1.6 mΩ的OptiMOS 3 40V，在订购量达到万件时其单价不超过0.99美元(0.68欧元)。在同样订购量下，采用D-PAK封装的3.5 mΩ OptiMOS 3 60V的单价为0.99美元(0.68欧元)，而采用TO-220封装的2.8 mΩ OptiMOS 3 80V的单价为1.99美元(1.37欧元)。