IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

　　国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。

　　新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低RDS (on) 可降低导通损耗，并提升系统效率。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这个系列的卓越RDS (on) 额定值，可让设计人员避免使用大电流工业应用中，往往因散热需要的大而昂贵的ISOTOP或小型BLOC封装，使系统成本降低50%。”

　　全新N沟道MOSFET系列可提供40V至200V电压，也符合工业级及MSL1要求。新MOSFET均不含铅并符合电子产品有害物质限制 (RoHS) 指令。