STY112N65M5：ST太阳能电池功率调节器用MOSFET

产品特性：

• 耐压650V
• STY112N65M5:最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）
• STW77N65M5:最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）
• 采用了改进Super Junction结构

应用范围：

• 太阳能电池功率调节器

意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）的“STW77N65M5”。

此前，太阳能电池功率调节器一直使用IGBT，但由于MOSFET的导通电阻不断降低，因此MOSFET正逐渐取代IGBT。

ST公司通过改进Super Junction结构，实现了耐压650V的低导通电阻。具体而言，将在n型底板垂直方向上伸长的p型区域的宽度和间隔减少一半，使单位面积的导通电阻由原来的约30mΩcm2降至约20mΩcm2。

为涉足太阳能电池市场，ST公司此次将主要面向笔记本电脑AC适配器和平板电视的该公司原产品的600V耐压设定为650V。耐压值是25℃下的测量结果。由于随着温度降低，耐压也降低，因此针对有时设置在室外的太阳能电池系统，提高了耐压。

STY112N65M5和STW77N65M5均将于2009年4月开始供应样品。