用于准谐振反激式变换器的新型数字系统解决方案(08-100)

　　在满载和轻载工作条件下，MOSFET分别在电压Vds的第一个和第七个波谷的谷底导通，如图1所示。在轻载工作条件下，开关频率被有效地降低到一个相当低的水平，同时谷底的开关动作仍可有效进行，从而确保了轻载时的高效率。

　　(a) 在第一个过零信号点的谷底导通

　　(b) 在第七个过零信号点的谷底导通

　　图 1 数字降频使MOSFET在不同的过零信号点导通

　　图1还清楚地显示了数字降频策略的实施结果，即：不仅开关频率被降低至相当低的水平，而且还确保在整个负载范围内，开关动作均在谷底进行。