尔必达开发出新款65nm XS制程1Gb DDR3内存芯片

尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nmXS(extra-shink)制程1GbDDR3内存芯片产品的开发工作，并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当应用在300mm尺寸晶 圆上时，这种65nmXS制程相比其前代65nmS(shrink)制程(08年开发完成)的产出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以进一步缩小芯片的尺寸之外，还可以显著减小厂方在制造设备上的费用投资。

　　这种65nm XS制程技术的1GbDDR3内存芯片面向的主要是PC/服务器市场，预计明年一季度可投入量产。