Intel、IBM 22/15nm制程部分关键制造技术前瞻
此前据Intel前技术经理Scott Thompson预计,Intel最终会选择采用三门结构晶体管制程,而其它的厂商则会因为FinFET结构的制程工艺复杂性而对FinFET望而却步。Scott Thompson现在的职位是在佛罗里达大学任教。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/104927.htm按Intel的脾气,他们一向对SOI工艺保持抗拒的态度。不过Bohr表示:“我们要找的是一种性价比最高的方案,不管是SOI或者其它的什么技术,只要某种技术能够带来额外的性能提升或较低的功耗,那么我们就会采用这些技术。”
IBM阵营的战略:22nm有可能转向FD-ETSOI,15nm可能启用finFET结构
IBM阵营方面,与Intel不同,尽管有可能后延到15nm制程节点时间段,但IBM公司已经开始考虑要在22nm制程节点便开始使用FD-SOI技术。IBM公司12月份曾经展示了一种基于ETSOI(extremely thin SOI:超薄SOI)的FD-ETSOI工艺。这种工艺仍然基于传统的平面型晶体管结构,不过这种工艺的SOI层厚度则非常薄,这样便可以采用全耗尽工艺,能够显著减小短通道效应(SCE)的影响。
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ETSOI技术能将SOI层的厚度缩小到极低的水平,使用这种技术之后,22nm制程中的SOI层的厚度仅有6.3nm,而传统的SOI层厚度通常在 20nm以上,发展到15nm制程,SOI层的厚度还可以进一步被缩小到5nm左右。据IBM表示,尽管由Soitec公司提供,能用于制造ETSOI产品的SOI晶圆数量仍十分有限,但他们已经可以把这种SOI层的厚度误差控制在±5 ?左右.
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