Intel、IBM 22/15nm制程部分关键制造技术前瞻
此前据Intel前技术经理Scott Thompson预计，Intel最终会选择采用三门结构晶体管制程，而其它的厂商则会因为FinFET结构的制程工艺复杂性而对FinFET望而却步。Scott Thompson现在的职位是在佛罗里达大学任教。
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/104927.htm按Intel的脾气，他们一向对SOI工艺保持抗拒的态度。不过Bohr表示：“我们要找的是一种性价比最高的方案，不管是SOI或者其它的什么技术，只要某种技术能够带来额外的性能提升或较低的功耗，那么我们就会采用这些技术。”
IBM阵营的战略：22nm有可能转向FD-ETSOI，15nm可能启用finFET结构
IBM阵营方面，与Intel不同，尽管有可能后延到15nm制程节点时间段，但IBM公司已经开始考虑要在22nm制程节点便开始使用FD-SOI技术。IBM公司12月份曾经展示了一种基于ETSOI(extremely thin SOI：超薄SOI)的FD-ETSOI工艺。这种工艺仍然基于传统的平面型晶体管结构，不过这种工艺的SOI层厚度则非常薄，这样便可以采用全耗尽工艺，能够显著减小短通道效应(SCE)的影响。
ETSOI技术能将SOI层的厚度缩小到极低的水平，使用这种技术之后，22nm制程中的SOI层的厚度仅有6.3nm，而传统的SOI层厚度通常在 20nm以上，发展到15nm制程，SOI层的厚度还可以进一步被缩小到5nm左右。据IBM表示，尽管由Soitec公司提供，能用于制造ETSOI产品的SOI晶圆数量仍十分有限，但他们已经可以把这种SOI层的厚度误差控制在±5 ?左右.
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