Intel、IBM 22/15nm制程部分关键制造技术前瞻

　　小结：Intel与IBM：你走你的阳光道，我过我的独木桥

　　Gartner 的分析师Freeman表示，他认为Intel和AMD会继续走自己的老路，Intel不太可能会使用SOI技术，而IBM则会继续将SOI发扬光大。他认为Intel如果采用三门晶体管技术，“便可以绕开SOI，因此Intel未必会转向SOI。”他并表示：“Intel会尽可能地延长体硅制程的寿命，而IBM则会尽快转向全耗尽型SOI技术。”他还认为将来Soitec和信越化学公司(SEH, Tokyo)将具备向IBM提供符合对方需要的ETSOI晶圆的能力(目前IBM需要在厂内对ETSOI硅层进行处理)。

　　其它关键技术：

　　除了以上所述的即将投入使用的技术之外，用于制造场效应管沟道的半导体材料下一步也有可能会发生变化。在去年的IEDM会议上，斯坦福大学的教授 Krishna Saraswat曾表示，当沟道宽度降至10nm左右时，必须采用新材料来制造沟道。据他估计，业界将首先开发出NMOS管使用III-V族元素构建沟道，PMOS管使用锗元素构建沟道的技术，然后再向PMOS/NMOS统一采用III- V族元素制造沟道的方向发展。转向使用III-V族元素将大大减小器件的工作电压和管子的能耗，可将工作电压减小至0.5V。不久之前，Intel便介绍了他们在使用这种技术制造的QWFET场效应管方面取得的新进展，当时他们向这种晶体管结构中引入了High-K栅极氧化物层。

　　除此之外，IBM则在TSV硅通孔互连技术和3D堆叠封装技术方面取得了较大的进展。