Intel、IBM 22/15nm制程部分关键制造技术前瞻
小结:Intel与IBM:你走你的阳光道,我过我的独木桥
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/104927.htmGartner 的分析师Freeman表示,他认为Intel和AMD会继续走自己的老路,Intel不太可能会使用SOI技术,而IBM则会继续将SOI发扬光大。他认为Intel如果采用三门晶体管技术,“便可以绕开SOI,因此Intel未必会转向SOI。”他并表示:“Intel会尽可能地延长体硅制程的寿命,而IBM则会尽快转向全耗尽型SOI技术。”他还认为将来Soitec和信越化学公司(SEH, Tokyo)将具备向IBM提供符合对方需要的ETSOI晶圆的能力(目前IBM需要在厂内对ETSOI硅层进行处理)。
其它关键技术:
![](http://m.amcfsurvey.com/editerupload/201001/90c4945e65de8012a8762bdc5340f61f.jpg)
![](http://m.amcfsurvey.com/editerupload/201001/e23915e93c89d9454d56358bec9a50d5.jpg)
除了以上所述的即将投入使用的技术之外,用于制造场效应管沟道的半导体材料下一步也有可能会发生变化。在去年的IEDM会议上,斯坦福大学的教授 Krishna Saraswat曾表示,当沟道宽度降至10nm左右时,必须采用新材料来制造沟道。据他估计,业界将首先开发出NMOS管使用III-V族元素构建沟道,PMOS管使用锗元素构建沟道的技术,然后再向PMOS/NMOS统一采用III- V族元素制造沟道的方向发展。转向使用III-V族元素将大大减小器件的工作电压和管子的能耗,可将工作电压减小至0.5V。不久之前,Intel便介绍了他们在使用这种技术制造的QWFET场效应管方面取得的新进展,当时他们向这种晶体管结构中引入了High-K栅极氧化物层。
除此之外,IBM则在TSV硅通孔互连技术和3D堆叠封装技术方面取得了较大的进展。
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