美光、南亚科携手42纳米 加入DRAM新技术战局
美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战,今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世,同时也全面导入铜制程技术,与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比,美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多,预计在2010年第2季试产,而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程,与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/106026.htm2010 年DRAM市场50纳米制程大战正热,但各厂也同步积极布局40纳米世代制程,预计40纳米制程效应下半年可逐渐显现。继三星导入46纳米制程之后,美光和南亚科也共同宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世,其主流电压与之前的1.5伏相比,42纳米电压以1.35伏作为标准,省电幅度可高达 30%。
根据DRAM业者透露,以每片晶圆产出(gross die)计算,美光以42纳米制程技术生产2Gb容量的DDR3数量约达1,280颗,三星的46纳米和海力士的44纳米,每片晶圆产出分别约 1,100~1,200颗和1,000~1,100颗,而尔必达的45纳米的每片晶圆产出约1,220颗,相较之下在良率相同情况,美光成本最低。
目前导入40纳米世代制程速度最快者为三星和海力士,但尚未到大量产出地步,业界推测仍在良率提升阶段,而尔必达已于2009年底宣示45纳米制程问世,而美光也将于2010年第2季正式试产,下半年将正式导入。
台厂南亚科、华亚科和瑞晶、力晶等,都将于第2季到第3季期间,开始试产40纳米世代技术,其中南亚科和华亚科下半年会以转进50纳米制程为主,公司认为 42纳米制程发酵,要等到2011年才会大量贡献;而力晶和瑞晶则是直接由65纳米转进45纳米,2010年技术主要目标就是全面导入45纳米。
值得注意的是,尔必达阵营的45纳米是采用6F2技术,目前也打算研发40纳米的4F2技术,预计成本可再较原本的45纳米制程减少20~30%,而这1颗新产品将由尔必达和力晶、瑞晶在台湾设立的研发中心操刀。
存储器业者分析,等各家DRAM厂都转进40纳米制程生产2Gb的DDR3后,预计每颗成本可降至1美元出头,届时各厂平均成本也大幅下滑,足以抵抗DRAM价格下跌压力。
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