我国存储器行业面临的形势与机遇

1、发展形势

　　传统结构DRAM、Flash需要设计和制造技术紧密配合，已形成少数大型IDM公司垄断的局面，在主流分立产品上我国正面切入的难度相当大。

　　目前，国内外客户对高速SRAM的需求量越来越大，其主要应用包括USB3.0、甚高速数字用户环路(VDSL)、 机顶盒(STB)和基带(Baseband)等。但高速SRAM IP和低功耗SRAM IP绝大部分由欧美公司提供，许可费用昂贵。

　　2、主要挑战

　　目前，我国企业在产品推广中遇到的挑战主要在市场端。由于国内缺少制造和封装测试环节，晶圆以及封装测试都需要外包，因此造成产量小，成本居高不下。虽然在高端市场(服务器、工业级应用)赢得一定的客户，但市场容量小，不易形成规模;在中低端市场(平板电脑,机顶盒)有大量客户，对成本很敏感，虽然形成了相对的量，但面临国际大厂激烈竞争，推广难，毛利低。我国企业作为市场中的后进入者，还未打开知名度，需要拿高品质的产品到价格敏感的消费市场打拼;对一些高端客户，作为新公司、新品牌，必然受到很多挑战。如何不断降低产品成本以提升产品的综合竞争力是遇到的主要困难。

　　如今半导体市场的推动力已经由PC转向消费电子产品。PC过去基本是企业采购、单位采购。因此从企业角度说，对计算机只要满足使用要求，它并不会对计算机提出不断升级内存要求。而对于消费电子产品，手机、MP3/MP4、平板电脑、电视机、音响、都属于个人或家庭消费，对产品的要求越来越严格、价格也是越来越低。如果芯片价格不降低，质量要求不严格，就很难卖出去，这实际上也是工业的推动力发生了转变。

　　3、发展机遇

　　(1)对于低次代应用，发挥我们贴近市场和服务支持的优势，芯片设计加制造的模式是有一定机会的，但需强化存储器芯片制造技术;

　　(2)SRAM与“宿主”关系密切，结合高端芯片的研发，从设计技术的角度开发并优化嵌入式SRAM IP是一个不错的切入点;

　　(3)新型存储器在未来5-10年当中可能成长为与Flash并驾齐驱的主流技术之一，甚至有可能成为“Universal Memory”，我们应该抓住这个难得的技术路线转移的机会，部署新型存储器的研发。

　　(4)SRAM由于读写速度的提升和存储空间的增大，其功耗在芯片功耗中所占的比重越来越高。在SoC芯片中，位于数据通路关键路径上的SRAM访问速度直接制约芯片系统速度，其密度也直接影响芯片的面积和成本，而这依赖于先进的设计技术和精致的物理实现技术。SRAM成了制约SoC速度(频率)和功耗、面积的严重瓶颈。因此，定制关键路径上的高速低功耗高密度SRAM非常有利于SoC芯片性能的整体提高，功耗的降低和成本的减少。

　　国际上高端CPU及SoC芯片公司(如IBM、Intel、AMD、SUN)都有自己的SRAM设计团队和设计能力。市场上销售的SRAM编译器(如Foundry提供的)只能满足中低端需要，速度慢于高端SoC芯片和CPU公司的SRAM 50%，面积大且成本高。因此，采用自主的专利技术和可配置的高速低功耗高密度SRAM及编译器，设计高性能SRAM高速总线接口和高速缓存接口，提高SoC芯片性能，降低功耗和面积成本，对提高国产中高端SoC芯片的竞争力十分必要。