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东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET

作者: 时间:2013-07-29 来源:电子产品世界 收藏

实现最高级别低导通性能和高速转换  

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/153076.htm

  东京—公司(TOKYO:6502)日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的低导通和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。

特性

  1. 采用了第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的低导通

  2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs),有助于预防自启动现象

 规格

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关键词:东芝MOSFET电阻

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