三星DRAM连霸24年 2015年市占写下45%新高
三星电子(Samsung Electronics)连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率第一,为半导体产业写下新历史;2015年市占率达45.3%,营收突破200亿美元,不但刷新自身纪录,也成为存储器价格持续下跌声中,唯一还能获利的业者。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201604/289568.htm据韩媒Money Today报导,市调机构IHS资料显示,2015年三星DRAM营收为204.34亿美元,较2014年186.61亿美元成长9.5%,首次突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元,但三星营收却逆势成长。
从整年度的市占率来看,三星占45.3%创下历史新高;排名第二的SK海力士(SK Hynix)为27.7%,营收124.89亿美元,较2014年126.66亿美元减少,但市占率微幅增加。第三名美光(Micron)的营收滑落到90.70亿美元,市占率也从24.6%下降到20%。
三星电子在1992年开发出64Mb DRAM之后,连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率第一。三星能稳坐龙头地位的关键,在于拥有竞争对手难以超越的技术差距,这也是半导体市场价格持续滑落,三星仍能维持获利的原因。
三星致力于突破微细制程的瓶颈,率先进入10纳米级DRAM量产,欲以领先的技术竞争力掌握市场。继成功开发18纳米DRAM之后,下一个目标是开发10纳米前段(1z)的DRAM技术。
业界人士表示,2015年三星采用20纳米微细制程,成功销售许多高附加价值产品。由于能生产竞争者做不到的高性能产品,即便市场情况不佳,这类产品仍能维持一定价格,受影响程度相对较小。
与DRAM同属存储器半导体的NAND Flash市场情况类似。三星借由高速、低耗电的垂直构造V NAND技术,成为2015年第4季唯一NAND Flash营业额逆势成长的业者。
相较于竞争者才刚进入21纳米量产,准备提高21纳米量产比重,主力产品仍停留在25~30纳米阶段,日前三星证实已启动18纳米8Gb DDR4 DRAM量产。因此业界认为,三星与对手的技术差距已经拉开至2年以上,在市场上一枝独秀的情况可望延续至2016年。
三星计划在2016年要将10纳米级技术用于大部分DRAM产品,并且加速研发10纳米中段(1y)与10纳米前段(1z)的新一代DRAM技术。半导体事业负责人金奇南表示,有信心成功开发10纳米前段的DRAM技术。
三星在半导体市场占有的优势,对南韩的经济发展也有很大贡献。2015年南韩半导体的出口规模为629.16亿美元,占整体出口(5,267.57亿美元)比重的11.9%。
虽然南韩的整体出口规模萎缩,但半导体类别不减反增,写下出口规模新高,是也2001年之后,存储器类别占整体出口比重最高的一次。
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