Intel美光联军兵临城下 三星3D NAND恐痛失霸主地位

　　前有埋伏、后有追兵，三星电子3D NAND flash的霸主宝座即将拱手让人?据了解，美光(Micron)和英特尔(Intel)联手研发3D NAND进展神速，可能今年底就会一脚踢开三星，登上王座。

　　韩媒BusinessKorea 1日报道，TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)报告称，美光和英特尔的新加坡合资工厂，今年第一季已经开始量产3D NAND flash，目前每月产量为3,000片，预料年内可拉升至每月4万片。

　　与此同时，英特尔大连厂也将在今年底产能全开，届时两家美厂的3D NAND产能将压倒三星。三星3D NAND每月产能约在2万~4万片之间，约占三星总体NAND产能的9~18%。

　　DRAMeXchange说法吻合业界分析，也就是美光/英特尔3D NAND技术的稳定速度快于预期。三星劲敌不只美厂，日厂东芝(Toshiba)和韩厂SK海力士(SK Hynix)也来势汹汹。SK海力士的3D NAND已于Q2出货，下半年将积极增产，计划从当前的每月2千片、Q4增至每月2万片。

　　专家指出，尽管三星3D NAND技术领先对手3年，各方增产之下，技术差距已毫无意义，明年3D NAND扩产大战将更加白热化，三星可能不会增建产线，以提高生产力为主，应对战局。

　　美光5月31日终场跳涨了3.33%、收12.72美元，平1月12日以来收盘新高，股价带量冲过颈线;以收盘价计算，过去9个交易日共计狂涨了31.54%，从月KD已在4月低档黄金交叉来看，过去半年来美光股价也有底部成形的味道。

　　barron`s.com报道，分析师Tristan Gerra 5月31日发表研究报告指出，三星电子可能会在今年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪记忆体，同时将18纳米制程产能初步拉高。

　　红色供应链来势汹汹，外界原本认为，陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地，不过有分析师预测，陆厂研发脚步迅速，可能2018年就能量产3D NAND。

　　巴伦(Barronˋs)6日报道，美系外资芯片设备分析师Atif Malik称，中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND记忆体的技术授权。2月份，Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他们相信2017年底就能取得48层3D NAND的验证，2018年进行量产。

　　BusinessKorea 1月15日报道，英特尔大连厂将在今年下半生产3D NAND。大连厂设备老旧，英特尔将砸55亿美元升级产能，盼量产3D NAND和Xpoint。明年东芝和英特尔的3D NAND产能可能是三星西安厂的2~3倍，将威胁三星的霸者地位。

　　3D NAND用途广泛，可用于伺服器、SSD、SD卡、智能机、平板、笔电等。