东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202203/432659.htm与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低,有助于减少开关电源的电磁干扰(EMI)。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance(N)这两种类型的表面贴装封装。
与此同时,东芝还提供各类工具,为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型,现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线,通过减少损耗提高设备电源效率,进而帮助其降低功耗。
■ 应用:
- 通信设备电源
- 开关电源(高效率DC-DC转换器等)
■ 特性:
- 优异的低损耗特性(在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡)
- 卓越的导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V
- 高额定结温:Tch(最大值)=175℃
■ 主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)
器件型号 |
TPH9R00CQH |
|||
绝对最大 额定值 |
漏源电压VDSS(V) |
150 |
||
漏极电流(直流) ID(A) |
@Tc=25℃ |
64 |
||
结温Tch(℃) |
175 |
|||
电气特性 |
漏源导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
@VGS=10V |
9.0 |
|
@VGS=8V |
11 |
|||
总栅电荷(栅极-源极+栅极-漏极) Qg典型值(nC) |
44 |
|||
栅极开关电荷Qsw典型值(nC) |
11.7 |
|||
输出电荷Qoss典型值(nC) |
87 |
|||
输入电容Ciss典型值(pF) |
3500 |
|||
封装 |
名称 |
SOP Advance |
SOP Advance(N) |
|
尺寸典型值(mm) |
5.0×6.0 |
4.9×6.1 |
||
库存查询与购买 |
在线购买 |
注:
[1] 截至2022年3月的东芝调查。
[2] 栅极开关电荷和输出电荷。
[3] 与现有产品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%,漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。
评论