扬杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET产品,采用SGT工艺
4月8日消息,扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品,采用先进的SGT (Shield Gate TrenchMOSFET) 制程工艺,针对电机驱动、BMS等应用设计,优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时,提升MOSFET抗冲击电流能力。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202204/433065.htmN80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等,是其核心的功率控制部件。
扬杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多个SGT工艺系列产品,解决客户的多种应用需求。
产品特点:
1.采用SGT工艺,极低的Rdson和优异的开关特性,带来更低的FOM,减小系统损耗。
2. 和传统Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化,设计MOSFET驱动时有更多选择。
3.针对系统应用中的各种异常工作状态,优化MOS产品EAS特性,提高系统可靠性。
电性参数:
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