台积电大举拉货EUV光刻机

台积电依然是EUV设备的最大买家。

台积电 2nm 先进制程产能将于 2025 年量产，设备厂正如火如荼交机，尤以先进制程所用之EUV（极紫外光刻机）至为关键，今明两年共将交付超过 60 台EUV，总投资金额上看超过 4000 亿元新台币。在产能持续扩充之下，ASML 2025 年交付数量增长将超过 3 成，台厂供应链沾光，其中家登积极与 ASML 携手投入下一代 High-NA EUV 研发，另外帆宣、意德士、公准、京鼎及翔名等有望同步受惠。

设备厂商透露，EUV 设备供应吃紧，交期长达 16~20 个月，因此，2024 年订单大部分会于后年开始交付; 据法人估计，今年台积电 EUV 订单达 30 台、明年 35 台，不过会因为资本支出进行微幅调整。而除了研发中心之外，High-NA EUV 明后年尚无量产设备规划。

ASML 因应客户需求，于去年规划新产能，明年交付数量成长性明确。今年预估总交付数量达 53 台，而明年预计达到 72 台以上。

供应链指出，ASML 对 2025 年度产能规划，EUV 90 台、DUV 600 台、High-NA EUV 20 台目标并未改变，今年 11 月 14 将举行 2024 Investor Day，将对下个 5 年提出最新蓝图。

台积电先进制程产能逐渐开出，以 3nm 台南厂来说，第三季将进入量产，明年 P8 厂也会有 EUV 机台陆续导入，新竹宝山 2nm 在接续三年 EUV 拉货动能强劲、高雄 2nm 也同步进行。

供应链同时透露，台积电美国 P1A 工程追加款项有望第三季到位，且该厂区已进入建设尾声，加上台积在岛内外其余厂区建设需求，如新竹宝山、日本熊本、高雄楠梓及封测厂等、CSP 数据中心建置需求，设备需求不看淡。

更多的 EUV 设备，带动 EUV 光罩盒使用量同步增长，法人认为，家登将为其中最受惠厂商，FOUP（前开式晶圆传送盒）持续抢攻市占率，相较竞争对手，家登自建热风抽气环境，将塑胶粒或是污染粒子排除，直接送至客户厂区即可上机; 同时，ASML High-NA EUV 家登也投入合作研发。

ASML 推出首款 2nm 低数值孔径 EUV 设备 Twinscan NXE：3800E

狂热的读者倾向于关注使用前沿制程工艺技术制造的微芯片，就英特尔而言，这意味着未来几年将使用高数值孔径极紫外光刻技术。但是，我们将在未来几年内使用的绝大多数芯片都将使用低数值孔径（Low-NA）EUV 光刻设备制造。这就是为什么 ASML 的最新公告特别引人注目的原因。

正如 Computerbase 所发现的那样，ASML 于今年 3 月交付了其第一台更新的 Twinscan NXE：3800E 光刻机，用于晶圆厂安装。NXE：3800E 是该公司 0.33 数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列的最新版本，旨在制造 2nm 和 3nm 制程芯片。

ASML 尚未公布有关该设备功能的全部细节，但该公司之前的路线图表明，更新后的 3800E 将提供更高的晶圆吞吐量和更高的晶圆对准精度，ASML 称之为「匹配机器覆盖」。基于该路线图，ASML 预计其第五代低数值孔径 EUV 扫描仪每小时可加工 200 片晶圆，这标志着该技术的一个重要里程碑，因为 EUV 光刻技术的缺点之一是其吞吐率低于当今经过充分研究和调整的深紫外（DUV）光刻设备。

对于 ASML 的逻辑和存储芯片晶圆厂客户来说（目前这个名单总共只有大约 6 家公司），更新后的扫描仪将帮助这些晶圆厂继续改进和扩大其尖端芯片的生产。即使大型晶圆厂正在通过增加设施来扩大运营规模，提高现有设施的产量仍然是满足产能需求以及降低生产成本（或至少控制生产成本）的重要因素。

由于 EUV 扫描仪并不便宜——一台典型的扫描仪成本约为 1.8 亿美元，而 Twinscan NXE：3800E 的成本可能会更高——这些设备成本需要一段时间才能完全摊销。与此同时，更快地推出新一代 EUV 扫描仪将对 ASML 产生重大的财务影响，ASML 已经享有作为这种关键设备的唯一供应商的地位。

继 3800E 之后，ASML 至少还有一代低数值孔径 EUV 扫描仪正在开发中，包括 Twinscan NXE：4000F。预计将于 2026 年左右发布。

高数值孔径 EUV 光刻机受关注

去年 12 月，ASML 向英特尔交付了业界首台数值孔径达到 0.55 的 EUV 光刻设备 Twinscan EXE：5000，目前，该设备主要用于开发目的，并使该公司的客户熟悉新技术及其功能。高数值孔径设备的商业使用计划在 2025 年及以后进行。

英特尔宣布计划从 2025 年开始采用 ASML 的高数值孔径 Twinscan EXE 扫描仪进行大批量生产（HVM），届时该公司打算开始使用其 18A（1.8nm）制程技术。为此，英特尔自 2018 年以来一直在尝试使用高数值孔径光刻设备，当时它获得了 ASML 的 Twinscan EXE：5000，该公司订购了 ASML 的下一代高数值孔径商用设备 Twinscan EXE：5200。

高数值孔径 EUV 设备对于更高分辨率（<8 nm，目前的 0.33 NA EUV 的分辨率为 13nm）至关重要，可实现更小的晶体管和更高的晶体管密度。除了完全不同的光学设计外，高数值孔径扫描仪还有望提供更快的光罩和晶圆平台以及更高的生产率。例如，Twinscan EXE：5200 的生产率超过每小时 200 个晶圆（WPH）。相比之下，ASML 的顶级 0.33 NA EUV 设备 Twinscan NXE：3600D 的 WPH 为 160。

英特尔可能会在其 18A 后的制程工艺技术中采用 ASML 的高 NA 工具，而竞争对手台积电和三星将在本十年晚些时候使用它们。这些扫描仪不会便宜，据估计，每台这样的设备成本可能超过 3 亿美元，这将进一步提高最先进制程晶圆厂的成本。

ASML 已经交付给客户的最先进 EUV 扫描仪具有 0.33 NA 和 13nm 分辨率，可以通过单次曝光图案打印金属间距约为 30nm 的芯片，这对于 5nm 或 4nm 级等制程节点来说已经足够了。对于更精细的制程，芯片制造商要么需要使用 EUV 双重曝光或图案塑造技术，这就是他们未来几年要做的事情。但除此之外，他们计划使用 ASML 的下一代高数值孔径 EUV 扫描仪，其数值孔径为 0.55，分辨率约为 8nm。

需要注意的是，0.55 NA EUV 设备不会取代晶圆厂目前使用的深紫外（DUV）和 EUV 设备，就像引入 0.33 NA EUV 不会逐步淘汰 DUV 光刻机一样。在可预见的未来，ASML 将继续推进其 DUV 和 0.33 NA EUV 扫描仪。同时，高数值孔径 EUV 光刻技术将在缩小晶体管尺寸和提高其性能方面继续发挥关键作用。