Onsemi推出新一代碳化硅半导体

美国半导体制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技术平台，用于电动汽车和其他应用。与前几代相比，该平台可减少30%的导通损耗和高达50%的关断损耗。

据Onsemi称，所谓的EliteSiC M3e MOSFETs还提供了业界最低的特定导通电阻，并具有短路能力，这对牵引逆变器市场至关重要。在电动汽车中，逆变器将电池的直流电转换为电动机所需的交流电。转换损耗和冷却需求越低，车辆在相同电池容量下的续航里程就越大。

具体示例：封装在Onsemi的功率模块中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技术提供了大幅度更多的相电流，”这应当使同一牵引逆变器外壳中的输出功率提高20%。Onsemi还声称，现在可以设计固定功率级，使用约20%更少的碳化硅含量，从而节省成本，并开发出更小、更轻、更可靠的系统。

据该公司称，新的碳化硅一代还将实现“下一代电气系统的性能和可靠性，以更低的每千瓦成本，从而影响电气化倡议的采用和效果。”该平台能够在更高的开关频率和电压下运行，同时将功率转换损耗降至最低，适用于广泛的汽车和工业应用。“广泛的汽车和工业应用”。除了电动驱动，这些还包括直流快速充电器、太阳能逆变器和能源存储解决方案。它还可以用于提高数据中心的效率。

“电气化的未来依赖于先进的功率半导体。没有在功率方面的重大创新，今天的基础设施无法跟上世界对更多智能和电气化移动性的需求。这对于实现全球电气化和遏制气候变化的能力至关重要，”Onsemi电源解决方案集团总裁Simon Keeton说。“我们正在设定创新的步伐，计划到2030年大幅提高我们碳化硅技术路线图中的功率密度，以满足日益增长的能源需求，并推动全球向电气化转型。”

Onsemi计划在2030年前加速推出多个未来的碳化硅产品系列。这家美国半导体制造商还在捷克共和国投资建设了一座欧洲碳化硅半导体工厂。Onsemi的客户包括众多电动汽车制造商（如大众、宝马、现代-起亚和Zeekr）以及动力总成供应商Vitesco。