FD-SOI制程技术已到引爆点?
身为记者,我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿,然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)就是一个例子。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/276177.htm我从美国旅行到中国接着又到欧洲,在与电子产业人士讨论技术的过程中,发现FD-SOI从一个不容易了解的名词,逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术,我在最近这几个星期所收集到的随机事实包括:
˙中国“大基金”(中国国家集成电路产业投资基金的简称)主席最拜访法国半导体材料供应商SOITEC (该公司是FD-SOI专家,意味着中国政府基金对FD-SOI技术兴趣浓厚)。
˙晶圆代工业者GlobalFoundries执行长Sanjay Jha与FD-SOI技术领域的关键高层开了一场会议(而据说Jha曾问过尖锐的问题,例如“(FD-SOI的)客户在哪里?”)。
˙对中国的上海华力微电子(Huali Microelectronics)是否该转型为FD-SOI代工厂的讨论持续中;华力是一家上海政府占大多数股份的合资企业,其余股东包括华虹集团(Huahong Group)、华虹宏力半导体(Grace Semiconductor)等。
˙不久前(6/7~11)在美国旧金山举行的年度设计自动化大会(Design Automation Conference,DAC)上,一个旨在为FD-SOI技术芯片开发提供设计服务与支援的联盟平台,宣布了关于其合作夥伴的细节资讯。
˙三星(Samsung)在DAC期间大力推销FD-SOI晶圆代工业务。
˙FD-SOI技术的支持者显然开始改变其论调,不再强调FD-SOI与FinFET制程的比较,而是推广FD-SOI制程在类比、混合讯号与RF元件的制造。
大器晚成的FD-SOI似乎很容易被产业界“看扁”,特别是半导体产业龙头如英特尔(Intel)与台积电(TSMC)似乎已经将FinFET当成标准技术。甚至在中国,展讯(Spreadtrum)董事长暨执行长李力游,对FD-SOI也有与业界多数人类似的看法,他不久前接受专访时对我说,FinFET的成本逐渐降低、良率越来越高:“如果我们两年前是选择FD-SOI,情况可能完全不同。”
英特尔近来对展讯的新东家,中国紫光集团(Tsinghua Unigroup)投资了15亿美元;该公司准备委托英特尔以14纳米FinFET制程代工芯片,并将未来目标订在10纳米节点(参考阅读)。
中国是FD-SOI 的未来?
不过中国芯片设计服务业者芯原(VeriSilicon)执行长戴伟民(Wayne Dai)有相反的看法,他将中国视为FD-SOI的未来;与其不断地在FinFET制程方面追赶台积电或英特尔的脚步,他认为现在正是中国投资FD-SOI,并用以作为低功耗制程的替代方案。
戴伟民在上海接受EE Times 美国版访问时坦承,FD-SOI面临三大挑战:缺乏基板、IP以及客户;对任何想采用FD-SOI技术的人来说,上述挑战都是足以让人却步的问题,但戴伟民认为,那些障碍很快就会被扫除。
法国业者SOITEC拥有独家的SmartCut制程技术,已经在欧洲与新加坡生产SOI晶圆;日本信越化学(Shin-Etsu Chemical)旗下的信越半导体(Shin-Etsu Handotai)自1988年就开始供应SOI晶圆,该公司自1997年开始授权SOITEC生产薄SOI晶圆片的智慧切割技术(Smart Cut),并供应FD-SOI晶圆。
戴伟民表示,理想的状态是希望能看到有更多公司、或许是以合资企业的方式能进入上海,从事SOI基板的生产;他表示,虽然距离实现还有一段距离,但这样的发展前景一直被积极游说中。至于FD-SOI 技术IP的可取得性也是一个问题,对此志在成为“IP强权”的芯原,也一直站在FD-SOI技术前线。
评论