Intel挥军存储器为自保、产量不致打乱市场供需？

　　英特尔(Intel)进攻存储器，将斥资改造大连厂，外界对此议论纷纷，担心美光将受威胁，NAND flash恐会供过于求，不过有分析师认为，英特尔此举是是为了自保，产量不会大到冲击市场。

　　巴伦(Barronˋs)财经网站23日报导，富国银行(Wells Fargo)分析师David Wong表示，英特尔和美光(Micron)合力发展的新存储器技术“3D Xpoint”将是大连厂的生产重心，英特尔可从中获利，但不会成为NAND flash的主要生产商，预料存储器仅占该公司整体营收的一小部分。英特尔的存储器产量不会多到打乱NAND市场的供需平衡。

　　里昂证券(CLSA)的Mark Heller认为，英特尔投资大连厂是为了自保，理由之一合资厂利润太低。英特尔和美光的合资企业--IM Flash，英特尔能以成本价取得49%产出，但是目前此一工厂只生产2D NAND，并开始试产Xpoint，3D NAND则全数在美光的新加坡厂制造，意味英特尔想买3D NAND须以高于成本价购买，这会推高英特尔成本，该公司或许因此决定自行生产。

　　Heller举出的第二个理由是，英特尔担心美光移情别恋，另寻合作伙伴。美光拥有IM Flash的买权(call option)，能要求英特尔以帐面价格回售合资企业给美光，英特尔可能想自建3D NAND/Xpoint工厂，避免此一风险。第三个理由是3D NAND和Xpoint技术似乎多为美光所有。

　　彭博社先前报导，半导体业龙头英特尔丢震撼弹，20日宣布将砸重金把位在中国大连的厂房改造成最顶尖的存储器晶片厂。英特尔以处理器闻名，最早却以生产存储器起家，这次可算是重操旧业。大连工厂2010年开始营运，产线改头换面完成后将在2016下半年投产。英特尔前三至五年计划投资35亿美元，之后还可能再追加至55亿美元。

　　BusinessKorea 8月7日报导，英特尔、美光7月29日宣布开发出新世代存储器技术“3D Xpoint”，储存的资料比DRAM高出十倍，读写速度与耐受度更是NAND型快闪存储器的1千倍之多，如此革新的技术让三星电子、SK Hynix大为紧张。