NOVELLUS（诺发公司）推出用于65纳米及更窄工艺节点的氮化钨/钨淀积系统

诺发系统有限公司（纳斯达克股票市场Nasdaq代号：NVLS）是全球半导体行业在高级淀积、表面处理和化学机械平坦化工艺等领域的生产力和技术领导企业。该公司今天宣布推出用于65纳米及更窄工艺节点填充接触和通路的ALTUS DirectFill单系统解决方案。DirectFill系统采用诺发公司久经考验的ALTUS平台，不再需要传统的钛/氮化钛(Ti/TiN)淀积设备。与现有的工艺相比，这项先进的接触和通路填充工艺可以将接触电阻和总体拥有成本降低50%以上。

诺发公司的ALTUS DirectFill解决方案用单一的系统取代标准的多设备Ti/TiN/W工艺，简化了钨淀积工艺过程。这一系统将先进的预清洁工艺整合在一个工艺模块内，随后的模块整合了诺发公司的PNL™氮化钨(WN)淀积专利技术，而在第三个模块内则将PNL和钨化学气相淀积工艺整合在内。这些采用氮化钨和钨的多功能序列淀积工艺模块有助于提高产能和工艺复用率。

ALTUS DirectFill技术在技术上有几个重要优势。首先，氮化钨阻隔层显示出原子级淀积(ALD)均匀性，而且比它所取代的Ti/TiN阻隔层要薄得多，这样就可以用电阻率较低的钨来填充大部分的电接触。在45纳米工艺节点这一级工艺，氮化钨/低电阻率钨DirectFill工艺可将接触电阻降低50%以上。此外，PNL氮化钨可以提供优秀的阻隔层特性，并能与各种介电材料很好地粘附。所有的工艺温度都在400