IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFETMOSFET系列。
新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (RDS(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性，非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。
IRF6721S、IRF6722S与IRF6722M极低的Qg和Qgd，使这些器件非常适用于控制MOSFET。它们还有SQ、ST和MP占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
产品规格
器件
编号
|
BVDSS
(V)
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10V下典型RDS(on) (mOhms)
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4.5V下典型RDS(on) (mOhms)
|
典型QG (nC)
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典型QGD |
DirectFET外形代码
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IRF6721S
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30
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5.1
|
8.5
|
11
|
3.7
|
SQ
|
IRF6722S
|
30
|
4.7
|
8.0
|
11
|
4.1
|
ST
|
IRF
|
30
|
4.7
|
8.0
|
11
|
4.3
|
MP
|
IRF
|
30
|
1.9
|
2.7
|
33
|
10
|
MX
|
IRF
|
30
|
1.7
|
2.4
|
36
|
11
|
MX
|
IRF
|
30
|
1.3
|
1.9
|
51
|
16
|
MT
|
IRF
|
30
|
1.2
|
1.8
|
49
|
16
|
MX
|
新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS)，并已接受批量订单。
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