美光表示24年和25年大部分时间的高带宽内存已售罄
美光目前在高带宽内存市场上处于劣势，但看起来情况正在迅速变化，因为该公司表示其 HBM3E 内存供应已售罄，并分配到 2025 年的大部分时间。目前，美光表示其HBM3E将出现在英伟达的H200 GPU中，用于人工智能和高性能计算，因此美光似乎准备抢占相当大的HBM市场份额。
图片来源：美光
“我们的 HBM 在 2024 日历上已经售罄，我们 2025 年的绝大部分供应已经分配完毕，”美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周为公司财报电话会议准备的讲话中表示。“我们继续预计 HBM 比特份额相当于 2025 年某个时候的整体 DRAM 比特份额。”
美光最初的 HBM3E 堆栈是 24 GB 8Hi 模块，数据传输速率为 9.2 GT/s，每台设备的峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。其中六个堆栈将用于 Nvidia 的 H200 GPU for AI 和 HPC，总共可实现 141 GB 的高带宽内存。由于美光是第一家开始商业化出货HBM3E的公司，因此它将出售一船HBM3E封装。
Mehrotra表示：“我们有望在2024财年从HBM获得数亿美元的收入，并预计从第三财季开始，HBM的收入将增加我们的DRAM和整体毛利率。
美光负责人表示，它已经开始对其 12-Hi HBM3E 立方体进行采样，该立方体将内存容量提高了 50%，从而能够对更大的语言模型进行 AI 训练。这些 36 GB HBM3E 立方体将用于下一代 AI 处理器，其产量将在 2025 年增加。
由于 HBM 的制造涉及专用 DRAM 的生产，因此 HBM 的产能提升将极大地影响美光为主流应用制造 DRAM IC 的能力。
“HBM 产量的增加将限制非 HBM 产品的供应增长，”Mehrotra 说。“从整个行业来看，HBM3E消耗的晶圆供应量大约是DDR5的三倍，可以在同一技术节点中产生给定数量的比特。”
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