碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。优秀的器件应该允许一定的设计自由度，以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而，关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻，并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的几个标准，或许还
关键字：英飞凌 SiC MOSFET
4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。此次车规级碳化硅芯片产线的成功通线，是基本半导体打造国产碳化硅功率器件IDM领先企业的一大重要战略布局。据官微介绍，基本半导体车规级碳化硅芯片产线项目获得国家工信部的产业专项支持，并连续两年入选深圳市年度重大项目，厂区面积13000平方米，配备光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蚀等专业设备，主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等，产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。项目通过打造垂直整合制造模式，加快设计、制造共同迭代
关键字：基本半导体 车规级 碳化硅
近日，电科材料6英寸碳化硅外延片产业化工作取得重大进展，6英寸中高压碳化硅外延片月产能力实现大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半导体器件的关键材料。电科材料持续布局第三代半导体外延材料研发生产，实现一系列技术突破，在碳化硅外延领域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研发。同时，积极与国产设备厂商合作开发生产装备，推动碳化硅核心装备国产化。未来，电科材料将持续创新突破，推出更多高端碳化硅材料产品。
关键字：电科材料 6英寸 碳化硅
4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼，以应对人员的增加。此外，今年2月下旬，日经亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息，东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外
关键字：功率半导体 IGBT MOSFET SIC
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
关键字：SiC MOSFET 栅极驱动 安森美
大家应该还记得，当遭受国补退坡重创的电动汽车于2019-2020年间慢慢恢复元气，开始走出国补退坡的阴影时，市面上开始出现了一些在性能上追平甚至超越传统燃油车的电动汽车，当时的电动车市场呈现出来的是典型的哑铃型结构：便宜的A00级车型和30万以上的高端车型（包括部分B级车和C级车）卖得很好，但在10-30万的主流区间，电动车企的表现一直比较惨淡。这种市场格局在2016-2021国内乘用车分级别电动化率走势图上一展无遗，历时五年的时间，A00车已经达到了90%以上的渗透率。这两年来，市场格局风云变幻，正如欧
关键字：碳化硅 比亚迪 蔚来 电动汽车 新能源汽车
被称为“未来十年黄金赛道”的碳化硅行业近日又随着华为发布SiC电驱平台再被关注，在近期特斯拉大幅减少碳化硅使用风暴下，业界在一次次的探讨中，逐步廓清了碳化硅未来使用的信心与前景。华为的碳化硅产业链布局近日华为举办了智能电动新品发布会，并发布了聚焦动力域的“DriveONE新一代超融合黄金动力平台”以及“新一代全液冷超充架构”的充电网络解决方案。其中，DriveONE新一代超融合黄金动力平台主要包括面向B/B+级纯电、B/B+级增程混动，以及A级纯电车型动力总成解决方案，目标是不断提升整车度电里程和升油里程
关键字：特斯拉 碳化硅
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
关键字：ROHM 超低导通电阻 Nch MOSFET
在国内新能源车市场，特斯拉称得上是最大的“鲶鱼”，一举一动总能搅动起不小的“水花”。近日，“鲶鱼”特斯拉在其投资者活动日上公开了备受期待的“秘密宏图第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平台将减少75%的碳化硅使用”一度带崩相关板块，引发A股碳化硅中的个股集体跳水。近两年，碳化硅在新能源汽车中占据着重要位置，相关概念在资本市场上也一度受到热捧，更具戏剧性的是，特斯拉正是推动碳化硅上车的“先驱”。如今，特斯拉对碳化硅的态度出现180度大反转，背后的真实意图是什么？将会对国内新能
关键字：特斯拉 碳化硅 新能源车企
据外媒报道，知名汽车电子厂商采埃孚（ZF）近日宣布将从意法半导体(ST)采购碳化硅模块。双方签署的多年期合同据报道涉及供应数量达数百万的SiC模块。报道称，到2030年，采埃孚在电动汽车领域的订单总额预计将超过300亿欧元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，为了应对蓬勃增长的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供应商。“在 意法半导体，我们现在找到了这样一家供应商，其在复杂系统方面的经验符合我们的要求，最重要的是，该供应商能够以极高质量和所需数量生产模块。”意法半导体汽车和分立
关键字：采埃孚 意法半导体 碳化硅
据外媒报道，近日，德国汽车Tier-1厂商采埃孚（ZF）和功率半导体厂商意法半导体（ST）共同发布新闻稿称，双方签订了车用碳化硅多年采购合同。根据合同条款，采埃孚将自2025年起向ST采购数千万颗第三代SiC MOSFET器件，满足汽车逆变器对车规级SiC器件在量和质上的需求。采埃孚将于2025年量产新型模块化逆变器架构，这些SiC器件将集成到该平台中。截至目前，采埃孚的在手订单（到2023年）金额总计超过300亿欧元（约合人民币2274亿元），其中一个汽车逆变器订单来自欧洲一家车企，该车企计划2025年
关键字：碳化硅 意法半导体
近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体
关键字：碳化硅 氧化镓
4月7日，中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立，将加快汽车功率芯片的国产化。在成立大会暨汽车功率芯片发展研讨会期间，第一财经记者获悉，汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会，降本提质是国产功率芯片尤其是碳化硅功率半导体“上车”的关键；三安光电用于电动车主驱的碳化硅功率半导体有望今年四季度正式“上车”。 汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会 有行业专家向第一财经记者表示，一辆电动车如果前驱与后驱都用功率半导体，功率半导体约占电机控制器的成本50%。奇瑞汽车研发总院芯片规划总监郭宇辉告诉第一财经记者
关键字：汽车电子 功率半导体 碳化硅
【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。 DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导
关键字：Diodes 碳化硅 MOSFET
2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
关键字：贸泽 安森美 EliteSiC 碳化硅
碳化硅 mosfet介绍
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