Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
【2023年4月13日美国德州普拉诺讯】Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC)系列最新产品：DMWS120H100SM4N通道碳化硅MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流(DC-DC)转换器和电动车(EV)电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/202304/445538.htm
DMWS120H100SM4在高电压(1200V)和汲极电流(可达37A)的条件下运作，同时维持低导热性(RθJC= 0.6°C/W)，非常适合用于在恶劣环境中运作的应用。这款MOSFET的RDS(ON)(典型值)很低，仅80mΩ (对于15V的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率。而这款装置的闸极电荷仅52nC，可减少开关耗损与降低封装温度。
本产品是市场上首款采用TO247-4封装的碳化硅MOSFET。额外的凯尔文感应接脚可以接到MOSFET的源极，以优化切换效能，达到更高的功率密度。
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