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EEPW首页>> 主题列表>> 2.5d 封装

[图文]16位DAC系列在一个纤巧型封装内具有多达8个DAC

  • 凌特公司(Linear Technology)推出新型的 3mm x 3mm 16 位 DAC。与业界其它竞争对手的产品相比,它的占板面积最小,并集成了更加丰富的功能,改进了 DC 性能。通过将高性能的电压输出 16 位 DAC 整合在一个 10 引脚 3mm x 3mm 的 DFN 封装内,LTC2601 在缩小尺寸的同时提高了该紧凑型产品的性能。LTC2601 DAC 是对于空间受限应用的理想选择,并优化了板布局。LTC2601 通过采用一个可菊链连接的 SPI 串行接口,允许使用 3 条
  • 关键字:封装

[图文]采用ThinSOT封装及具有2A开关电流的1.2MHz、40V升压转换器

  • 日前,凌特公司(Linear Technology)推出 LT1935,这是业界最大功率的 SOT-23 开关调节器。该 2A、40V、1.2MHz 的升压型 DC/DC 转换器采用了 ThinSOTTM 封装。其 2.3V 至 16V 宽输入电压范围能在单节锂离子电池至固定的 15V 输入电压下工作,而输出电压可高达 38V。其恒定的 1.2MHz 开关频率允许设计者可使开关噪声避开噪声敏感的电路,并能采用小型的电容器和电感器。LT1935 的高效转换和纤巧型 ThinSOT 封装结合能在非
  • 关键字:封装

批量挤压印刷工艺提升单一封装的装配性能

  • DEK公司推出能直接从工艺载体实施单一基底批量挤压印刷工艺的全新技术,可以简化单一封装的装配,无需将基底移入专用载体即可获得批量挤压印刷的优势,包括高生产量、增强的胶点形状和厚度控制能力,以及低空洞性能。电子材料如导电粘合剂、焊膏、助焊剂、底部充填材料和焊球现可涂敷在单一基底上,从载体每次一个的提起。基底会放在客户选择的工艺载体如Auer boat中,进入印刷机。在到达电路板处理站时,载体会随着第一个基底对位而通过机器的紧贴导轨系统进行固定。在基底利用标准真空工具提起而与网板接触之前,机器的视觉系统会验证
  • 关键字:DEK封装

Maxim4MHz、500mA、薄型SOT和TDFN封装的微型同步降压转换器

  • MAX8560/MAX8561/MAX8562降压型DC-DC转换器专为那些优先考虑小尺寸和高效率的应用优化设计。它们利用专有的滞回PWM控制方案,允许用户在效率和尺寸间取得最佳平衡。输出电流保证可达500mA,同时静态电流仅40µA (典型)。内部同步整流大大提高了效率,并省去了常规降压型转换器中所必需的外部肖特基二极管。内部的软启动功能限制了浪涌电流,降低了对输入电容的要求。独特的快速电压定位瞬态响应降低了对输出电容的要求。MAX8561具有逻辑控制的输出电压;MAX8562可驱动外部旁路
  • 关键字:Maxim封装

180mA、1倍/2倍、白色LED电荷泵,采用3mm x 3mm TDFN封装

  • MAX1574充电泵型白光LED电源可提供恒定的驱动电流从而获得一致的发光亮度。采用自适应的1x/2x充电泵电路,在单节锂电池的电压范围内,具有180mA 的驱动能力和很高的效率。固定的开关频率(1MHz)允许采用微型的外部器件,而且整个电路都经过了优化确保极低的EMI 噪声和输入纹波。MAX1574 使用外部电阻来设置LED 的最大驱动电流,使能端用来做电路的关断/导通控制,同时也可以通过重复地输入脉冲信号来调整驱动电流直到 5%的最大值。一旦合适亮度设置好,MAX1574 就会保持恒定的驱动电流。MA
  • 关键字:Maxim封装

凌特公司推出 35V、3A升压型稳压器以小封装提供大功率

  • 凌特公司(Linear Technology)推出 LT3436,这是一款 3A、800kHz 的升压型 DC/DC 转换器,采用了散热增强型的 16 引脚 TSSOP 封装。该产品 3V 到 25V 的宽输入电压范围能够用单节锂离子电池至固定 24V 输入轨运行,输出电压高达 35V。其恒定 800kHz 开关频率(可从 1 MHz 到 1.4MHz 同步)使设计师能够使噪声敏感的电路不受开关噪声影响,并可以采用微型的电容器与电感器。LT3436 的高效率转换与散热增强型封装能在非常紧凑的空间内提供大电
  • 关键字:凌特公司封装

IR展开新一阶段无铅电子封装产品转换计划

  • 功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 展开新一阶段的"无铅封装"产品转换计划,有关程序可望于明年完成。 IR中国及香港销售总监严国富表示:“作为一家领先的功率管理器件制造商,我们的产品有助提升用电效率,又能为不同应用系统缔造更高性能,如汽车、家电以至各类电子设备。与此同时,我们为地球节省了宝贵的天然资源,在省去器件封装内的含铅成分方面,进一步实践保护环境的承诺。”为此,IR正与业界联盟及其客户共同合作,开发一系列无铅解决方案。去年初,IR作出了多
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高效照相闪光灯电容充电器采用 ThinSOT 封装

  • 凌特公司(Linear Technology)宣布推出高效快速照相闪光灯电容充电器 LT3468。LT3468 是一个独立的解决方案,用于照相闪光灯电容充电,所需线路板面积最小,无需软件开发。LT3468 能迅速有效地给高压(一般为 320 V)照相闪光灯电容充电。这个器件既可用于数字相机,也可用于胶片相机,采用限流回扫拓扑结构。它可用 3.6V 电池在 4.6 秒内将一个 100uF 电容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值电流,与标准回扫变压器配合使用,能以高于 80% 的效率对任
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采用纤巧 ThinSOT 封装的四路电源监视器在 VCC 低至 500mV 时仍保证复位

  • 凌特公司(Linear Technology)宣布推出采用纤巧 6 引线 ThinSOT™(SOT-23)封装的四路电源监视器 LTC2903-1,它在 VCC 低至 500mV 时仍保证提供有效的 RESET# 信号。与传统电源监视器的 1V 电平相比,用低至 500mV 的电源电压保持 RESET# 输出为低可降低触发外部逻辑电路或低电压处理器的风险。LTC2903-1 以严格的 ±1.5% 电压门限准确度提供 10% 欠压监视,这样的准确度能保证可靠的复位操作而不会出现假触发。LTC29
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东芝为功率半导体设备提供无铅封装

  • Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助无铅封装提供对环境友好的产品的计划时宣布,该公司众多功率半导体的很多类型都将采用无铅封装或无铅涂层进行生产。由东芝公司 (Toshiba Corp.) 生产的各种系列的功率设备中包含高功率的 IGBT 模块和采用压力包装 (pressure packs) 的产品以及各种中等功率的设备(包括 MOSFET、双极晶体管、肖特基势垒二极管、智能型功率模块、硅控整流器与三端双向可控硅开关以及其他多
  • 关键字:东芝封装

采用 ThinSOT 封装的降压型 DC/DC 控制器电流消耗仅为 16uA

  • 凌特公司(Linear Technology)推出一个采用 ThinSOTTM(SOT-23)封装的降压型 DC/DC 控制器 LTC3801。该产品专为延长电池使用寿命而设计,可将待机电流消耗降至仅为 16uA。LTC3801 在正常工作、轻负载时的突发模式(Burst Mode
  • 关键字:凌特公司封装

采用 2mm x 2mm DFN 封装的 900mA 全集成锂离子电池线性充电器不会过热

  • 凌特公司(Linear Technology)推出 LTC4059 微型单节锂离子电池线性充电器,它无需使用 3 个分立功率组件,在不使系统温度过高的情况下提高充电速度,并检测和报告充电电流值。此外,该产品采用最小的封装,但却没有影响热性能。整个解决方案仅需要两个分立组件(输入电容器与充电电流设置电阻器),而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面积。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封装占位面积比 SOT-23 封装的一半还小,提供 600C/W 的更低热阻以改善散热功能。通过正确的 PC
  • 关键字:凌特公司封装

具软启动功能、采用 ThinSOT 封装的高压 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器

  • 凌特公司(Linear Technology)推出一个 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器 LT3467,它兼有 42V、1.1A 内部开关和软启动功能。LT3467 采用恒定频率电流模式架构,在 2.4V 到 16V 输入电压范围内工作,从而使它成为单节锂离子电池、5V 或 12V 应用的理想选择。它内部的 42V 开关非常适合输出高达 40V 的升压型转换器以及 SEPIC 和返激式设计。通过一个集成的可编程软启动功能消除了大浪涌电流,而 1.3MHz 的恒定开关频率实现了低噪声工作。Thin
  • 关键字:凌特公司封装

飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET

  • 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P,为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势,这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP(倒装引脚铸模封装)中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench
  • 关键字:飞兆半导体公司封装

安森美半导体为高速、硅锗数据和时钟管理系列推出更小型耐用的QFN封装

  • 安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ONNN)宣布,其硅锗(SiGe)Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平(QFN)封装,进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比,节省电路板空间,同时大幅提高了热性能。采用QFN封装的Gigacomm™器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C,尺寸为3 mm x 3 mm,比倒装球栅阵列(FCBGA)封装减少44%。QFN封装 采用QFN封装的G
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2.5d 封装介绍

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