- 本文基于Peregrine(派更)半导体公司的单片数字步进衰减器(DSA，Digital Step Attenuator)产品系列，阐述了DSA通用设计方法、RF CMOS工艺以及这些器件的性能。
- 关键字：CMOS工艺步进数字
- IBM联盟开发出可在32纳米芯片中加速实现一种被称为“high-k/metal gate(高电介质金属栅极)”的突破性材料。这种新方法是基于被称为“high-k gate-first(高电介质先加工栅极)”加工工艺的方法，为客户转向高电介质金属栅极技术提供了一种更加简单和更省时间的途径，由此而能够带来的益处包括性能的提高和功耗的降低。通过使用高电介质金属栅极，IBM与联盟合作伙伴成功地开发出比上一代技术体积小50%的芯片，同时提高了众多性能。使用这种新技术的
- 关键字：制程 工艺
- 资深评论人 莫大康 按国际工艺路线图指引,全球半导体07年才进入45纳米制程。其中英特尔首先采用高k及金属栅工艺,将CMOS工艺推向一个新的里程碑。连戈登摩尔也坦诚,由此将定律可延伸又一个10年。 此次中芯国际能成功与国际最先进的技术输出者,IBM达成45纳米的技术转让协议意义十分深远。 首先表征中芯国际愿意继续追赶国际最先进工艺水平,加入全球最先进
- 关键字：45纳米中芯国际IBM工艺
- 嵌入式实时系统开发的软硬件考虑和关键工艺,本文将描述嵌入式系统和实时系统的关键特性，并探讨在选择或开发硬件和软件组件的基础上开发高效嵌入式系统的解决方案，同时详细说明嵌入式系统和实时系统开发所特有的关键工艺技术。
- 关键字：考虑关键工艺软硬件开发实时系统嵌入式
- 与其说45nm刚刚走到我们面前，不如说我们已经可以准备迎接32nm工艺时代，因为据三星存储合作伙伴透露，今年底或明年初三星将开始试产30nm工艺半导体存储芯片，其闪存芯片更是早于Intel迈向了50nm量产阶段。无疑，我们只不过在Intel强大的宣传攻势下，认为似乎CPU才是所有半导体的制程工艺的领先者，但也许再向下Intel也会感到有些力不从心。 当然，我们今天讨论的重点不是谁的制程工艺更先进，而是要讨论45nm究竟该不该采用，亦或准确的说是要不要采用的问题。 从技术的角度来说，45
- 关键字：半导体制程45nm工艺晶圆成本芯片
- 近期全球二线晶圆厂纷抢进0.13微米以下先进工艺，包括马来西亚晶圆代工厂Silterra、以色列晶圆厂宝塔半导体(Tower Semiconductor)分别宣布 ，计划以募资、借贷方式来扩充先进工艺产能，未来随着二线晶圆厂纷跳脱成熟工艺藩篱、迈入先进工艺，不仅恐造成先进工艺价格雪上加霜，并将让0.13微米、90纳米工艺不再是一线晶圆厂独霸天下，甚至得重新改写“先进工艺”定义。 目前90纳米、0.13微米工艺由台湾晶圆代工厂台积电、联电称霸，其中，台积电90纳米、0.13微米工艺各占营收比重达2
- 关键字：晶圆厂工艺其他IC制程
- VirtexTM-5系列产品的推出，使得Xilinx公司再一次成为向FPGA客户提供新技术和能力的主导力量。...
- 关键字：工艺纳米散热泄漏
- 101 LATCH UP 栓锁效应 当VLSI线路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中将愈来愈严重，且仅发生于 CMOS电路，所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径，有如一个垂直的P+-N-P与一个水平N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器，如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时，将造成两个晶体管互相
- 关键字：工艺微电子
- 151 RESOLUTION 解析力 1. 定义：解析力在IC制程的对准及印刷（Align & Print）过程中站着相当重要的地位，尤其演进到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是对光学系统（如对准机、显微镜、望远镜等）好坏的评估标准之一，现今多以法国人雷莱（Rayleigh）所制定的标准遵循之。物面上两光点经光学系统头于成像面上不会模糊到只被看成一点时，物面上两点间之最短距离。若此距离越小，则解析力越大。（通常镜面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳时，例如对准机对焦不清时，就会造成C
- 关键字：工艺微电子
- 1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之
- 关键字：工艺微电子
- 51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存 随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM），在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失，故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类
- 关键字：工艺微电子
- 据台湾媒体报道，针对英特尔公司在中国的芯片工厂获得批准的传言，全球第一大芯片代工巨头台积电公司的董事长张忠谋日前对媒体表示，台湾地区行政机构应该加速对大陆地区开放半导体先进工艺，否则台湾厂商在内地将处于落后境地。 去年年底，台湾行政机构刚刚批准了岛内半导体企业向大陆地区输出0.18微米线宽的8英寸芯片生产工艺。 英特尔公司目前没有对在中国的芯片工厂进行证实，根据传言，这座芯片厂将采用90纳米工艺，位于中国北方的大连。90纳米工艺已经比台湾厂商获准在大陆使用的180纳米工艺(即0.18微
- 关键字：工艺台积电
- ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP Velocity DDR存储器接口获得TSMC IP质量认证 ARM公司发布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的9
- 关键字：90ARMDDR1DDR2IPTSMC存储器单片机工艺接口纳米嵌入式系统存储器
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