首页资讯商机下载拆解高校招聘杂志会展 EETV 百科问答电路图工程师手册 Datasheet 100例活动中心 E周刊阅读样片申请

esd11n文章进入esd11n技术社区

安森美半导体推出两款静电放电保护器件

　　全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。这DSN型封装尺寸仅为 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封装面积，与采用塑模封装的产品相比，提供显著的性能/电路板面积比优势。　　安森美半导体采用这新型封装的首批产品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，扩展了公司高性能片外ESD保护产品系列。安森美
关键字：安森美 ESD ESD11N ESD11B

共1条 1/11

esd11n介绍

安森美半导体推出的一款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件 ESD11N这0.6皮法(pF)器件，利用安森美半导体的专利集成ESD技术，提高钳位性能，同时维持低电容。低电容值确保这器件几乎不影响高速数据线路的信号完整性，使其非常适用于USB 2.0和高清多媒体接口(HDMI)等应用。此外，ESD1 [ 查看详细]

esd11n文章进入esd11n技术社区

安森美半导体推出两款静电放电保护器件

esd11n介绍

热门主题