- 现代半导体工艺极其复杂，包含成百上千个互相影响的独立工艺步骤。在开发这些工艺步骤时，上游和下游的工艺模块之间常出现不可预期的障碍，造成开发周期延长和成本增加。本文中，我们将讨论如何使用 SEMulator3D®中的实验设计 (DOE) 功能来解决这一问题。在 3D NAND 存储器件的制造中，有一个关键工艺模块涉及在存储单元中形成金属栅极和字线。这个工艺首先需要在基板上沉积数百层二氧化硅和氮化硅交替堆叠层。其次，在堆叠层上以最小图形间隔来图形化和刻蚀存储孔阵列。此时，每层氮化硅（即将成为字线）的外表变得像
- 关键字：泛林SEMulator3D虚拟工艺
- ● 介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现具有挑战性的制造工艺，需要进行工艺调整。为应对这些挑战，我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版，以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
- 关键字：半大马士革后段器件集成1.5nmSEMulator3D
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