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半大马士革文章进入半大马士革技术社区

半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战

  • l 随着芯片制造商向3nm及以下节点迈进，后段模块处理迎来挑战l 半大马士革集成方案中引入空气间隙结构可能有助于缩短电阻电容的延迟时间 随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案。 在3nm节点，最先进的铜金属化将被低电阻、无需阻挡层的钌基后段金属化所取代。这种向钌金属化的转变带来减成图形化这一新的选择。这个方法也被称为“半大马士革集成”，结合了最小间距互连的减成图形化与通孔结构的传统大马士革。
  • 关键字：半大马士革空气间隙结构泛林imec

使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺

  • ● 介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现具有挑战性的制造工艺，需要进行工艺调整。为应对这些挑战，我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版，以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
  • 关键字：半大马士革后段器件集成1.5nmSEMulator3D
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半大马士革介绍

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