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半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战

• l 随着芯片制造商向3nm及以下节点迈进，后段模块处理迎来挑战l 半大马士革集成方案中引入空气间隙结构可能有助于缩短电阻电容的延迟时间 随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案。 在3nm节点，最先进的铜金属化将被低电阻、无需阻挡层的钌基后段金属化所取代。这种向钌金属化的转变带来减成图形化这一新的选择。这个方法也被称为“半大马士革集成”，结合了最小间距互连的减成图形化与通孔结构的传统大马士革。
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