首页 资讯 商机 下载 拆解 高校 招聘 杂志 会展 EETV 百科 问答 电路图 工程师手册 Datasheet 100例 活动中心 E周刊阅读 样片申请
EEPW首页>> 主题列表>> supergan

Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件,助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

SuperGaN使氮化镓产品更高效

  • 1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体领域的全球领先企业,致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前处于开发阶段)氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利,氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司,这意味着在器件开发的每个关键阶段,我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺,直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
  • 关键字:202310SuperGaN氮化镓GaNTransphorm

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
  • 关键字:TransphormSuperGaN FET驱动器
共3条 1/11

supergan介绍

您好,目前还没有人创建词条supergan!
欢迎您创建该词条,阐述对supergan的理解,并与今后在此搜索supergan的朋友们分享。 创建词条

热门主题

关于我们- 广告服务- 企业会员服务- 网站地图- 联系我们- 征稿- 友情链接- 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473