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NAND 原厂过够了「苦日子」,有晶圆合约成功涨价 10%

  • 厂家期待触底后的反弹早日到来。
  • 关键字:NAND Flash

基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现

  • 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据,会覆盖上次存储的数据,无法进行数据的连续存储。针对该问题,本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间,记录最新分区信息,将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图,并进行了验证。
  • 关键字:202308NAND FlashFPGA分区起始地址

苹果、皮克斯、Adobe、Autodesk、英伟达宣布组成 OpenUSD 联盟

  • IT之家 8 月 1 日消息,今日晚间,皮克斯、Adobe、苹果、Autodesk、NVIDIA 与 Linux 基金会附属机构联合开发基金会 (JDF) 宣布组成 OpenUSD 联盟 (AOUSD),以促进皮克斯的通用场景描述技术的标准化、开发、演进和成长。据介绍,该联盟旨在通过提升 Open Universal Scene Description 的发展来推动 3D 生态系统标准化,进一步强化 3D 工具和数据的互动和操作性,该联盟将使开发者和内容创作者能够描述、组合和
  • 关键字:苹果皮克斯AdobeAutodesk英伟达

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

  • 简单解释ROMROM:只读存储器,内容写入后就不能更改了,制造成本比较低,常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios,在系统装好的电脑上时,计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存,然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM:可编程程序只读存储器,但是只可以编写一次。EPROM:可抹除可编程只读存储器,可重复使用。EEPROM:电子式可抹除可编程只读存储器,类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM:随机存取存储器,也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器
  • 关键字:ROMRAMFLASHDDREMMC

6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

  • 据TrendForce集邦咨询调查,5月起美、韩系厂商大幅减产后,已见到部分供应商开始调高wafer报价,对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此,TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹,结束自2022年5月以来的猛烈跌势,预期今年第三季起将转为上涨,涨幅约0~5%,第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化,现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至,尽管今
  • 关键字:NAND FlashWaferTrendForce

传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星?

  • 近日,据日本共同社消息,日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前,作为全球知名的存储器厂商,铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴,目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称,铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等,未来双方将进行经营合并,拟由铠侠掌握主导权,关于出资比率等将继续探讨。报道称,由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷,铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示,铠侠
  • 关键字:铠侠西数NAND Flash三星

DDR5 重新下跌,内存现货价格未见回暖

需求持续下修,第一季NAND Flash总营收环比下跌16.1%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,第一季NAND Flash买方采购动能保守,供应商持续透过降价求售,但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%,平均销售(ASP)单价季减15%,合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元,环比减少16.1%。SK集团(SK hynix & Solidigm)及西部数据(WDC)量价齐跌,冲击营收表现,环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响,第一季NAND Flash营收仅13.2亿美元,环比减少24.8%
  • 关键字:集邦NAND Flash

兆易创新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

  • 中国北京(2023年5月16日) —— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度仅为0.4mm,容量高达128Mb,是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品,可在应对大容量代码存储需求的同时,提供极大限度的紧凑型设计自由。近年来,随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展,市场需求变化多样,不仅要在精致小巧的产品形态中
  • 关键字:兆易创新超小尺寸SPI NOR Flash

复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

  • 4月27日,上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、
  • 关键字:复旦微电NAND FlashEEPROM存储器

英飞凌推出 256 Mbit SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品

  • 【2023 年 04 月 10日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)近日推出 SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品。这种存储器经过专门优化,适合在电池供电的小型电子设备中使用。健身追踪器、智能耳机、健康监测仪、无人机和 GPS 导航等新型可穿戴应用及工业应用不断涌现,有助于实现精准跟踪、记录关键信息、增强安全性、降低噪声等更多功能。这些先进的功能和使用场景要求在体积更小的电子设备中配备更大容量的存储器。据Omdia 数据显示,蓝牙耳
  • 关键字:英飞凌SEMPERNano NOR Flash闪存

预估第二季NAND Flash均价续跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

  • 即便原厂持续进行减产,然需求端如服务器、智能手机、笔电等需求仍未见起色,NAND Flash市场仍处在供给过剩状态,故TrendForce集邦咨询预估,第二季NAND Flash均价仍将持续下跌,环比下跌幅度收敛至5~10%。而后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产,TrendForce集邦咨询认为若目前需求端未再持续下修,NAND Flash均价有机会在第四季止跌反弹,反之,若旺季需求端持续疲弱,均价反弹时间恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件库存去化已见成
  • 关键字:集邦NAND Flash

NAND Flash 大降价,固态硬盘取代机械硬盘指日可待

  • 相信有很多小伙伴已经注意到了,目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示,NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风,供应链积极去化库存加以应对,此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企业级固态硬盘)是下跌最剧烈的产品,跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息,但对于普通消费者来说,我们确实能买到更便宜的固态
  • 关键字:NAND Flash

存储器厂商Q1亏损恐难逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌,加上库存水位过高,终端消费支出持续放缓,据外电消息,韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出,南亚科(2408)及华邦电(2344)因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑,第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导,三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出,截至去年第四季,整体库存资产达到52.2兆韩元(约折合399亿美元),远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中,占三星营收比重最高的半导
  • 关键字:存储器DRAMNAND Flash

存储大厂展示300层NAND Flash,预计最快2024年问世

  • 近日,在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。外媒报导,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发,提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s,较上一代238层堆叠和164MB/
  • 关键字:300层NAND FlashSK海力士
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