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SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
- SMPD可用于标准拓扑结构,如降压、升压、桥臂(phase-leg),甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品,如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅,或定制组合,具有从40V到3000V不同电压等级。ISOPLUS - SMPD 及其优势SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device),是先进的顶部散热绝缘封装,由IXYS(现在是Littelfuse公司的一部分)在2012年开发。SMPD只有硬币大小,具有几项关键优势:·
- 关键字:LittelfuseSMPDMOSFET
安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议
- 2023 年 5 月 16 日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),宣布与Kempower达成战略协议,将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管,用于可扩展的电动汽车(EV)充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术,开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于有源AC-DC前端以及初级侧和次级侧的DC-DC转换器。 安森美为Kempower 的Satellit
- 关键字:安森美Kempower充电桩EliteSiC MOSFET电动汽车快充
优化SiC MOSFET的栅极驱动
- 在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>1 000 V)。而IGBT 虽然可以在高压下使用,但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美,可实现在高压下的高频开关。然而,SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后,设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
- 关键字:SiC MOSFET栅极驱动安森美
ROHM开发出超低导通电阻的Nch MOSFET
- 新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
- 关键字:ROHM超低导通电阻Nch MOSFET
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用,对更高效率与更高功率密度的需求。 DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作,同时维持低导
- 关键字:Diodes碳化硅 MOSFET
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新产品,非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。近年来,全球电力供应日趋紧张,这就要求设备要更加节能。据了解,电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此,在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路,越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面,针对使用MOSFET时所产生的噪声,主要通过添加部件和改变
- 关键字:超快反向恢复时间Super Junction MOSFETMOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”(非常适用于高耐压三相直流电机驱动)和半桥模块“SA110”“SA111”(非常适用于众多高电压应用)两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
- 关键字:ROHMSiC MOSFETSiC SBDApex工业设备功率模块
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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